[发明专利]集成扇出封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810996129.0 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109786340B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 裴浩然;陈威宇;郑佳申;曹智强;陈正庭;张家纶;林志伟;林修任;谢静华;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 封装 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
管芯，嵌入在模制材料中，所述管芯具有位于第一侧上的管芯连接件；
第一再分布结构，位于所述管芯的第一侧处，所述第一再分布结构通过所述管芯连接件电连接至所述管芯；
第二再分布结构，位于所述管芯的与所述第一侧相对的第二侧处，其中，所述第二再分布结构包括伪金属图案；以及
导热材料，位于所述第二再分布结构中，所述管芯插接在所述导热材料和所述第一再分布结构之间，所述导热材料延伸穿过所述第二再分布结构，并且所述导热材料是电隔离的；
其中，所述导热材料包括：
金属膏，至少部分地嵌入在所述第二再分布结构中，所述金属膏接触所述伪金属图案。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导热材料包括其中分散有金属颗粒的粘合剂材料。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：金属柱，延伸穿过所述模制材料，所述金属柱将所述第一再分布结构电连接至所述第二再分布结构。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导热材料物理接触所述管芯的第二侧。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：伪金属层，沿着所述管芯的第二侧延伸伪金属层具有与所述管芯相同的宽度，所述导热材料物理接触所述伪金属层。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，还包括：介电膜，位于所述第二再分布结构和所述管芯之间，所述介电膜与所述管芯共末端，其中，所述导热材料延伸穿过所述介电膜。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：伪金属层，设置在所述管芯的第二侧上，其中，所述伪金属层是电隔离的。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导热材料物理接触所述伪金属层。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述导热材料设置在各单独的所述伪金属图案之间。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，还包括：介电膜，位于所述第二再分布结构和所述伪金属层之间，所述介电膜具有与所述伪金属层相同的宽度，其中，所述导热材料延伸穿过所述介电膜。
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导热材料的远离所述管芯的表面与所述第二再分布结构的远离所述管芯的表面齐平。
12.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导热材料的远离所述管芯的表面比所述第二再分布结构的远离所述管芯的表面更靠近所述管芯。
13.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导热材料的远离所述管芯的表面比所述第二再分布结构的远离所述管芯的表面更远离所述管芯。
14.一种半导体结构，包括：
第一再分布结构；
第二再分布结构；
管芯，插接在所述第一再分布结构和所述第二再分布结构之间，其中，所述管芯的前侧面向所述第一再分布结构；
模制材料，位于所述管芯周围且介于所述第一再分布结构和所述第二再分布结构之间；
散热结构，至少部分地嵌入在所述第二再分布结构中，其中，所述散热结构是电隔离的并且从所述第二再分布结构的第一侧延伸至所述第二再分布结构的相对的第二侧，并且，所述管芯位于所述散热结构和所述第一再分布结构之间；以及
半导体封装件，电连接至所述第二再分布结构；
其中，所述散热结构包括：
所述第二再分布结构的伪金属图案；以及
金属膏，至少部分地嵌入在所述第二再分布结构中，所述金属膏接触所述伪金属图案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810996129.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体封装与其制造方法
- 下一篇：具有开关装置的功率半导体模块及其配置
