[发明专利]具有集成无源电子器件的封装上封装方法和设备在审
申请号: | 201810995498.8 | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN109585311A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | H·I·金 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/16 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及用于封装上封装式多封装集成电路的装置和技术。集成电路的部件可以位于形成于多封装集成电路的电路封装中的孔隙中。所述孔隙可以是通过制作具有对应于所述部件的内部孔隙的孔隙结构而形成的。所述孔隙结构可以被接合至所述多封装集成电路中的第一封装的第一衬底。所述第一衬底和所述孔隙结构可以被包封在模制化合物中。可以去除牺牲层,从而暴露所述孔隙结构中的孔隙。所述部件可以是例如穿通模具通孔。所述第一封装可以被耦合至第二封装。根据文中的公开内容制作的多封装集成电路组件可以包括更高密度的电子部件,包括无源电子部件。 | ||
搜索关键词: | 封装 封装集成电路 孔隙结构 衬底 无源电子部件 方法和设备 模制化合物 电路封装 电子部件 电子器件 集成无源 模具通孔 内容制作 接合 耦合 封装式 牺牲层 包封 穿通 去除 集成电路 暴露 申请 制作 | ||
【主权项】:
1.一种制作多封装集成电路的方法,包括:制备包括孔隙的孔隙结构,其中,所述孔隙的尺寸被设定为容纳无源电部件;制备底部电路封装,所述底部电路封装包括底部电路封装衬底并且包括处于所述底部电路封装的管芯侧层中的第一集成电路和所述孔隙结构;从所述底部电路封装的所述管芯侧层去除牺牲层,以暴露所述孔隙结构中的所述孔隙;制备顶部电路封装,其包括顶部电路封装衬底和处于所述顶部电路封装衬底的管芯侧层中的第二集成电路;将所述无源电部件放置或者形成到所述孔隙中;将所述无源电部件电耦合至所述顶部电路封装衬底的界面侧;以及将所述顶部电路封装衬底安装至具有处于所述孔隙中的所述无源电部件的所述底部电路封装衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造