[发明专利]具有集成无源电子器件的封装上封装方法和设备

权利要求书

1.一种制作多封装集成电路的方法，包括：

制备包括孔隙的孔隙结构，其中，所述孔隙的尺寸被设定为容纳无源电部件；

制备底部电路封装，所述底部电路封装包括底部电路封装衬底并且包括处于所述底部电路封装的管芯侧层中的第一集成电路和所述孔隙结构；

从所述底部电路封装的所述管芯侧层去除牺牲层，以暴露所述孔隙结构中的所述孔隙；

制备顶部电路封装，其包括顶部电路封装衬底和处于所述顶部电路封装衬底的管芯侧层中的第二集成电路；

将所述无源电部件放置或者形成到所述孔隙中；

将所述无源电部件电耦合至所述顶部电路封装衬底的界面侧；以及

将所述顶部电路封装衬底安装至具有处于所述孔隙中的所述无源电部件的所述底部电路封装衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在将所述顶部电路封装衬底安装至具有处于所述孔隙中的所述无源电部件的所述底部电路封装之前，将所述无源电部件电耦合至所述顶部电路封装衬底的所述界面侧。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将所述孔隙结构制备为使所述孔隙结构中的所述孔隙的竖直壁垂直于所述孔隙结构中的所述孔隙的水平底面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，制备所述孔隙结构包括由所述底部电路封装的材料制备所述孔隙结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述底部电路封装的所述管芯侧层去除牺牲层以暴露所述孔隙结构中的所述孔隙包括通过研磨去除所述牺牲层。

6.根据权利要求1到权利要求5中的一项或多项所述的方法，其中，所述无源电部件包括电阻器、电容器、功率部件或者穿通模具通孔(TMV)的至少其中之一。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括在所述孔隙中形成所述TMV，并且其中，将所述TMV电耦合至所述顶部电路封装衬底的所述界面侧或者将所述顶部电路封装衬底安装到具有处于所述孔隙中的所述无源电部件的所述底部电路封装这两者中的至少一者是通过回流焊接执行的。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述孔隙中形成所述TMV包括利用导体填充所述孔隙，利用焊膏帽盖所述导体，并且其中，回流焊接使所述焊膏熔化。

9.根据权利要求1到权利要求5中的一项或多项所述的方法，其中，所述孔隙是第一孔隙，所述无源电部件是第一无源电部件，并且所述方法进一步包括：通过孔隙形成工艺在所述底部电路封装中形成第二孔隙并且在所述第二孔隙中插入或者形成第二无源电部件。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述孔隙形成工艺包括机械钻孔、激光钻孔或者化学蚀刻的至少其中之一。

11.根据权利要求1到权利要求5中的一项或多项所述的方法，其中，将所述顶部电路封装衬底安装至所述底部电路封装衬底利用第一球栅阵列，并且其中，利用所述第一球栅阵列将所述顶部电路封装衬底安装至具有处于所述孔隙中的所述无源电部件的所述底部电路封装包括：利用所述第一球栅阵列将所述顶部电路封装和所述底部电路封装电耦合，其中，所述底部电路封装包括底部电路封装衬底的界面侧；以及利用第二球栅阵列将所述底部电路封装衬底的界面侧电耦合至母板。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二球栅阵列在所述底部电路封装衬底的界面侧和所述母板之间形成的电接触部比所述第一球栅阵列在所述顶部电路封装衬底的界面侧和所述底部电路封装之间形成的电接触部更多。