[发明专利]一种半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810925081.4 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110828542B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理有限公司 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 300000 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件及其形成方法，本发明实施例在LDMOS晶体管器件的部分栅极结构的侧壁和上表面和漂移区的表面上形成材质为绝缘材料的第一金属硅化物阻挡层和材质为导电材料或半导体材料的第二金属硅化物阻挡层，由此，金属硅化物阻挡层的复合结构还可以同时相当于多个浮栅，可以使器件的电场分布均匀，提高击穿电压。同时，金属硅化物阻挡层设置在栅极和漂移区的交界区域，由此，可以减小器件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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