[发明专利]一种半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810925081.4 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110828542B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理有限公司 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 300000 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有相互分隔的体区和漂移区；
形成与部分所述体区以及部分所述漂移区交叠的栅极结构；
在所述体区中形成源区，在所述漂移区中形成漏区；
形成第一金属硅化物阻挡层，所述第一金属硅化物阻挡层覆盖所述漂移区和靠近漂移区一侧的部分所述栅极结构；以及
在所述第一金属硅化物阻挡层上形成第二金属硅化物阻挡层；
其中，所述第一金属硅化物阻挡层为绝缘材料，所述第二金属硅化物阻挡层为导电材料或半导体材料，所述第二金属硅化物阻挡层包括纳米硅量子点层。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成第二金属硅化物阻挡层包括：
沉积多晶硅层；以及
热氧化所述多晶硅层以形成所述纳米硅量子点层。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为2nm～5nm。
4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述沉积多晶硅层的方法为化学气相沉积法。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述纳米硅量子点层的层数为一层或多层。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一金属硅化物阻挡层的材质为富硅二氧化硅。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二金属硅化物阻挡层的面积小于或等于第一金属硅化物阻挡层的面积。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底包括相互分隔的体区和漂移区；
源区，所述源区形成在体区中；
漏区，所述漏区形成在漂移区中；
栅极结构，所述栅极结构与所述体区以及所述漂移区交叠；
第一金属硅化物阻挡层，所述第一金属硅化物阻挡层覆盖所述漂移区和靠近漂移区一侧的部分所述栅极结构；以及
第二金属硅化物阻挡层，所述第二金属硅化物阻挡层叠置在所述第一金属硅化物阻挡层上；
其中，所述第一金属硅化物阻挡层为绝缘材料，所述第二金属硅化物阻挡层为导电材料或半导体材料，所述第二金属硅化物阻挡层包括纳米硅量子点层。
9.如权利要求8所述的器件，其特征在于，所述第一金属硅化物阻挡层的材质为富硅二氧化硅。
10.如权利要求8所述的器件，其特征在于，所述第二金属硅化物阻挡层的层数为一层或多层。
11.如权利要求8所述的器件，其特征在于，所述第二金属硅化物阻挡层的面积小于或等于第一金属硅化物阻挡层的面积。
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