[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810923903.5 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110828460B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，包括：提供基底，基底包括第一区、第二区和第三区，第二区位于第一区和第三区之间，第二区与第一区和第三区相邻；第一区基底内具有第一掺杂层，第三区基底内具有第二掺杂层，第一掺杂层和第二掺杂层相邻；在基底上形成覆盖第一掺杂层和第二掺杂层的介质层；在第二区的介质层上形成第一掩膜层和第二掩膜层，第二掩膜层覆盖第一掩膜层侧壁；以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜刻蚀第一区和第三区的介质层，形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出第一掺杂层和第二掺杂层；之后，去除第一掩膜层；去除第一掩膜层后，以第二掩膜层为掩膜刻蚀第二区的介质层，在第二区的介质层内形成第二沟槽。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
