[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间，所述第二区与所述第一区和所述第三区相邻；

在所述第一区基底内具有第一掺杂层；

在所述第三区基底内具有第二掺杂层，且所述第二掺杂层和所述第一掺杂层相邻；

在所述基底上形成介质层，所述介质层覆盖所述第一掺杂层和第二掺杂层；

在第二区的介质层上形成第一掩膜层；

在所述第一掩膜层侧壁形成第二掩膜层，所述第二掩膜层位于第二区的介质层上；

以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜刻蚀第一区和第三区的介质层，分别在第一区和第三区的介质层内形成第一沟槽，所述第一沟槽底部分别暴露出第一掺杂层和第二掺杂层；

形成第一沟槽后，去除所述第一掩膜层；

去除所述第一掩膜层后，以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀第二区的介质层，在第二区的介质层内形成第二沟槽；

在所述第一沟槽内形成第一导电结构；在所述第二沟槽内形成第二导电结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层的材料包括：氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层沿垂直于鳍部延伸方向且平行于基底水平方向的宽度为3nm～15nm。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层的形成方法包括：在介质层和第一掩膜层上形成第二掩膜材料层；回刻蚀所述第二掩膜材料层，直至暴露出第一掩膜层顶部表面，在第一掩膜层侧壁形成所述第二掩膜层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括：氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的形成方法包括：在介质层上初始第一掩膜层；在所述初始第一掩膜层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出部分初始第一掩膜层的表面；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述初始第一掩膜层，在介质层上形成所述第一掩膜层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层沿垂直于鳍部延伸方向且平行于基底水平方向的宽度为20nm～40nm。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底还包括第一器件区和第二器件区，所述第一器件区与第二器件区相邻，所述第一器件区和第二器件区以第二区中心线为轴镜像分布，所述第一区位于第一器件区内，所述第三区位于第二器件区内。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底内还具有第一鳍部、第二鳍部和第一栅极结构，所述第一鳍部位于基底第一区内，所述第二鳍部位于基底第三区内，所述第一栅极结构位于基底第一区、第二区和第三区，所述第一栅极结构横跨第一鳍部和第二鳍部并覆盖第一鳍部和第二鳍部部分侧壁和顶部表面，所述第一掺杂层位于第一栅极结构两侧的第一鳍部内，所述第二掺杂层位于第一栅极结构两侧的第二鳍部内，所述第二沟槽暴露出第一栅极结构。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底内还具有第二栅极结构，所述第二栅极结构位于基底第二区内，所述第一掺杂层和第二掺杂层分别位于第二栅极结构两侧，所述第二沟槽暴露出部分所述第二栅极结构。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一导电结构的形成方法包括：在所述第一沟槽内和介质层上形成第一导电材料层；回刻蚀所述第一导电材料层，直至暴露出介质层表面，在所述第一沟槽内形成第一导电结构。