[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

一种半导体器件及其形成方法，包括：提供基底，基底包括第一区、第二区和第三区，第二区位于第一区和第三区之间，第二区与第一区和第三区相邻；第一区基底内具有第一掺杂层，第三区基底内具有第二掺杂层，第一掺杂层和第二掺杂层相邻；在基底上形成覆盖第一掺杂层和第二掺杂层的介质层；在第二区的介质层上形成第一掩膜层和第二掩膜层，第二掩膜层覆盖第一掩膜层侧壁；以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜刻蚀第一区和第三区的介质层，形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出第一掺杂层和第二掺杂层；之后，去除第一掩膜层；去除第一掩膜层后，以第二掩膜层为掩膜刻蚀第二区的介质层，在第二区的介质层内形成第二沟槽。所述方法提高了半导体器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，存储器呈现出高集成度、快速、低功耗的发展趋势。

从功能上将存储器分为随机存储器(RAM，Random Access Memory)和只读存储器(ROM，Read Only Memory)。随机存储器工作时，可以随时从任何一个指定的地址读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元。随机存储器的读写操作方便，使用灵活。

随机存储器可以分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)。其中，静态随机存储器利用带有正反馈的触发器来实现存储数据，主要依靠持续的供电来保持数据的完整性。静态随机存储器在使用过程中不需要刷新。静态随机存储器已被广泛应用在计算机的高速缓存和频繁的数据处理中。

然而，现有技术中静态随机存储器的电学性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间，所述第二区与所述第一区和所述第三区相邻；在所述第一区内具有第一掺杂层；在所述第三区内具有第二掺杂层，且所述第二掺杂层和所述第一掺杂层相邻；在所述基底上形成介质层，所述介质层覆盖所述第一掺杂层和第二掺杂层；在第二区的介质层上形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层侧壁形成第二掩膜层，所述第二掩膜层位于第二区的介质层上；以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜刻蚀第一区和第三区的介质层，分部在第一区和第三区的介质层内形成第一沟槽，所述第一沟槽底部分别暴露出第一掺杂层和第二掺杂层；形成第一沟槽后，去除所述第一掩膜层；去除所述第一掩膜层后，以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀第二区的介质层，在第二区的介质层内形成第二沟槽。

可选的，所述第二掩膜层的材料包括：氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

可选的，所述第二掩膜层沿垂直于鳍部延伸方向且平行于基底水平方向的宽度为3nm～15nm。

可选的，所述第二掩膜层的形成方法包括：在介质层和第一掩膜层上形成第二掩膜材料层；回刻蚀所述第二掩膜材料层，直至暴露出第一掩膜层顶部表面，在第一掩膜层侧壁形成所述第二掩膜层。

可选的，所述第一掩膜层的材料包括：氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

可选的，所述第一掩膜层的形成方法包括：在介质层上初始第一掩膜层；在所述初始第一掩膜层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出部分初始第一掩膜层的表面；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述初始第一掩膜层，在介质层上形成所述第一掩膜层。

可选的，所述第一掩膜层沿垂直于鳍部延伸方向且平行于基底水平方向的宽度为20nm～40nm。

可选的，所述基底还包括第一器件区和第二器件区，所述第一器件区与第二器件区相邻，所述第一器件区和第二器件区以第二区中心线为轴镜像分布，所述第一区位于第一器件区内，所述第三区位于第二器件区内。