[发明专利]具有交叉点存储阵列的存储器件在审
| 申请号： | 201810921238.6 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109768158A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 郑智贤;姜大焕;金杜应;李光振 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种存储器件包括在衬底上沿第一方向延伸的第一字线、在第一字线上沿第二方向延伸的第一位线、设置在第一字线与第一位线之间的第一存储单元、在第一位线上沿第一方向延伸的第二字线、在第二字线上沿第二方向延伸的第二位线、设置在第二字线与第二位线之间的第二存储单元、以及连接到第一位线和第二位线的第一位线连接结构。第一位线连接结构包括连接到第一位线的第一位线接触以及连接到第二位线并垂直地重叠第一位线接触的第二位线接触。 | ||
| 搜索关键词： | 位线 字线 方向延伸 位线接触 存储器件 连接结构 交叉点存储阵列 第二存储单元 存储单元 垂直地 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：在衬底上的第一字线；在所述第一字线上的第一位线；在所述第一位线上的第二字线；在所述第二字线上的第二位线；第一存储单元，其在所述第一字线与所述第一位线之间延伸；第二存储单元，其在所述第二字线与所述第二位线之间延伸；以及第一位线连接结构，其包括连接到所述第一位线的第一位线接触以及连接到所述第二位线并且至少部分垂直地重叠所述第一位线接触的第二位线接触。
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