[发明专利]具有交叉点存储阵列的存储器件

说明书

一种存储器件包括在衬底上沿第一方向延伸的第一字线、在第一字线上沿第二方向延伸的第一位线、设置在第一字线与第一位线之间的第一存储单元、在第一位线上沿第一方向延伸的第二字线、在第二字线上沿第二方向延伸的第二位线、设置在第二字线与第二位线之间的第二存储单元、以及连接到第一位线和第二位线的第一位线连接结构。第一位线连接结构包括连接到第一位线的第一位线接触以及连接到第二位线并垂直地重叠第一位线接触的第二位线接触。

技术领域

本发明构思涉及存储器件，更具体地，涉及具有交叉点阵列结构的存储器件。

背景技术

随着电子产品的减轻、纤薄、缩短和小型化趋势，对高度集成的存储器件的需求正在增加。此外，已经提出了其中存储单元位于两个相交电极之间的交叉点处的具有三维(3D)交叉点结构的存储器件。然而，随着具有交叉点结构的存储器件的集成度持续增加，可能发生由构造每个存储器件的各存储单位的位置造成的电特性差异。

发明内容

本发明构思提供了在其中的存储单位之间具有高度均匀的操作特性的交叉点阵列类型的存储器件。

根据本发明构思的一实施方式，提供了一种存储器件，其包括：在衬底上沿第一方向延伸的第一字线；在第一字线上的第一位线，第一位线在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及在第一字线与第一位线之间的第一存储单元。第一存储单元包括第一存储单位和第一开关单位。还提供了在第一位线上的第二字线(第二字线在第一方向上延伸)、在第二字线上的第二位线(第二位线在第二方向上延伸)、以及在第二字线与第二位线之间延伸的第二存储单元。第二存储单元包括第二存储单位和第二开关单位。提供了第一位线连接结构，其连接到第一位线和第二位线。第一位线连接结构包括连接到第一位线的第一位线接触以及连接到第二位线并设置为至少部分垂直地重叠第一位线接触的第二位线接触。

根据本发明构思的另一实施方式，提供了一种存储器件，其包括：在衬底上沿第一方向延伸的多个第一字线；在所述多个第一字线上的多个第一位线，所述多个第一位线在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及在所述多个第一字线与所述多个第一位线之间的多个第一存储单元。所述多个第一存储单元的每个包括第一存储单位和第一开关单位。(在第一方向上延伸的)多个第二字线提供在所述多个第一位线上，(在第二方向上延伸的)多个第二位线提供在所述多个第二字线上。多个第二存储单元提供在所述多个第二字线与所述多个第二位线之间。所述多个第二存储单元的每个包括第二存储单位和第二开关单位。提供了电连接到所述多个第一位线和所述多个第二位线的多个第一位线连接结构。所述多个第一位线连接结构的每个的至少一部分设置在所述多个第一位线中的对应第一位线与所述多个第二位线中的对应第二位线之间。

根据本发明构思的另一实施方式，提供了一种存储器件，其包括：在衬底上沿第一方向延伸的第一字线；在第一字线上的第一位线，第一位线在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及在第一字线与第一位线之间的第一存储单元。第一存储单元包括第一存储单位和第一开关单位。(在第一方向上延伸的)第二字线提供在第一位线上，(在第二方向上延伸的)第二位线提供在第二字线上。第二存储单元提供在第二字线与第二位线之间。第二存储单元包括第二存储单位和第二开关单位。提供了第一位线连接结构，其包括设置在第一位线之下的第一位线接触以及设置在第一位线与第二位线之间并垂直地重叠第一位线接触的第二位线接触。

附图说明

本发明构思的实施方式将由以下结合附图的详细描述被更清楚地理解，附图中：

图1是根据示例性实施方式的存储器件的等效电路图；

图2是示出根据示例性实施方式的存储器件的代表性构造的布局图；

图3是沿图2的线A1-A1'截取的剖视图；

图4是沿图2的线B1-B1'截取的剖视图；

图5是示出根据示例性实施方式的存储器件的剖视图；