[发明专利]具有交叉点存储阵列的存储器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

在衬底上的第一字线；

在所述第一字线上的第一位线；

在所述第一位线上的第二字线；

在所述第二字线上的第二位线；

第一存储单元，其在所述第一字线与所述第一位线之间延伸；

第二存储单元，其在所述第二字线与所述第二位线之间延伸；以及

第一位线连接结构，其包括连接到所述第一位线的第一位线接触以及连接到所述第二位线并且至少部分垂直地重叠所述第一位线接触的第二位线接触。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一存储单元包括第一存储单位和第一开关单位，所述第二存储单元包括第二存储单位和第二开关单位。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述第一存储单元和所述第二存储单元分别是第一非易失性存储单元和第二非易失性存储单元。

4.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述第一字线和所述第二字线在跨越所述衬底的第一方向上延伸；以及其中所述第一位线和所述第二位线在跨越所述衬底的第二方向上延伸，所述第二方向大体垂直于所述第一方向。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中所述第一位线接触和所述第二位线接触彼此垂直地对准。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一位线接触在所述衬底与所述第一位线之间延伸，所述第二位线接触在所述第一位线与所述第二位线之间延伸。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一位线接触在所述第一位线与所述第二位线之间延伸，所述第二位线接触设置在所述第二位线上。

8.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述第一开关单位设置在所述第一字线上，并且所述第一存储单位在所述第一开关单位与所述第一位线之间延伸；以及其中所述第二开关单位设置在所述第二字线上，并且所述第二存储单位在所述第二开关单位与所述第二位线之间延伸。

9.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述第一存储单位设置在所述第一字线上，并且所述第一开关单位在所述第一存储单位与所述第一位线之间延伸；以及其中所述第二存储单位设置在所述第二字线上，并且所述第二开关单位在所述第二存储单位与所述第二位线之间延伸。

10.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述第一存储单位包括具有L形剖面的第一加热电极和设置在所述第一加热电极上的第一可变电阻层；其中所述第二存储单位包括具有L形剖面的第二加热电极和设置在所述第二加热电极上的第二可变电阻层。

11.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述第一存储单位包括第一可变电阻层和设置在所述第一可变电阻层的侧壁上的第一间隔物；其中所述第二存储单位包括第二可变电阻层和设置在所述第二可变电阻层的侧壁上的第二间隔物；以及其中所述第一可变电阻层的上表面的宽度与所述第二可变电阻层的上表面的宽度基本相同。