[发明专利]包括加热元件的芯片结构有效

专利信息
申请号: 201810916454.1 申请日: 2018-08-13
公开(公告)号: CN109411489B 公开(公告)日: 2023-10-10
发明(设计)人: 朴佑炫;金载春 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/34
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 张帆;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种芯片结构和芯片结构操作方法。芯片结构包括:第一下芯片结构;和上芯片结构,其位于第一下芯片结构上并且具有像素阵列区。第一下芯片结构包括:第一下半导体衬底,其具有彼此相对的第一侧和第二侧;第一部分,其位于第一下半导体衬底的第一侧上;以及第二部分,其位于第一下半导体衬底的第二侧上,第一下芯片结构的第一部分包括栅极布线,第一下芯片结构的第二部分包括第二侧布线和加热元件,并且加热元件与第二侧布线位于相同平面上,并且加热元件的长度大于第二侧布线的长度。
搜索关键词: 包括 加热 元件 芯片 结构
【主权项】:
1.一种芯片结构,包括:第一下芯片结构;以及上芯片结构,其位于所述第一下芯片结构上并且具有像素阵列区,所述第一下芯片结构包括:第一下半导体衬底,其具有彼此相对的第一侧和第二侧;第一部分,其位于所述第一下半导体衬底的第一侧上;以及第二部分,其位于所述第一下半导体衬底的第二侧上,其中,所述第一下芯片结构的第一部分包括栅极布线,所述第一下芯片结构的第二部分包括第二侧布线和加热元件,并且所述加热元件与所述第二侧布线在同一平面上,并且所述加热元件的长度大于所述第二侧布线的长度。
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