[发明专利]包括加热元件的芯片结构有效
申请号: | 201810916454.1 | 申请日: | 2018-08-13 |
公开(公告)号: | CN109411489B | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | 朴佑炫;金载春 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/34 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张帆;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种芯片结构和芯片结构操作方法。芯片结构包括:第一下芯片结构;和上芯片结构,其位于第一下芯片结构上并且具有像素阵列区。第一下芯片结构包括:第一下半导体衬底,其具有彼此相对的第一侧和第二侧;第一部分,其位于第一下半导体衬底的第一侧上;以及第二部分,其位于第一下半导体衬底的第二侧上,第一下芯片结构的第一部分包括栅极布线,第一下芯片结构的第二部分包括第二侧布线和加热元件,并且加热元件与第二侧布线位于相同平面上,并且加热元件的长度大于第二侧布线的长度。 | ||
搜索关键词: | 包括 加热 元件 芯片 结构 | ||
【主权项】:
1.一种芯片结构,包括:第一下芯片结构;以及上芯片结构,其位于所述第一下芯片结构上并且具有像素阵列区,所述第一下芯片结构包括:第一下半导体衬底,其具有彼此相对的第一侧和第二侧;第一部分,其位于所述第一下半导体衬底的第一侧上;以及第二部分,其位于所述第一下半导体衬底的第二侧上,其中,所述第一下芯片结构的第一部分包括栅极布线,所述第一下芯片结构的第二部分包括第二侧布线和加热元件,并且所述加热元件与所述第二侧布线在同一平面上,并且所述加热元件的长度大于所述第二侧布线的长度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的