[发明专利]包括加热元件的芯片结构有效
申请号: | 201810916454.1 | 申请日: | 2018-08-13 |
公开(公告)号: | CN109411489B | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | 朴佑炫;金载春 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/34 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张帆;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 加热 元件 芯片 结构 | ||
提供了一种芯片结构和芯片结构操作方法。芯片结构包括:第一下芯片结构;和上芯片结构,其位于第一下芯片结构上并且具有像素阵列区。第一下芯片结构包括:第一下半导体衬底,其具有彼此相对的第一侧和第二侧;第一部分,其位于第一下半导体衬底的第一侧上;以及第二部分,其位于第一下半导体衬底的第二侧上,第一下芯片结构的第一部分包括栅极布线,第一下芯片结构的第二部分包括第二侧布线和加热元件,并且加热元件与第二侧布线位于相同平面上,并且加热元件的长度大于第二侧布线的长度。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年8月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0103828的优先权的利益,该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
技术领域
本发明构思涉及一种芯片结构,并且更具体地说,涉及一种包括能够加热图像传感器的像素阵列区的加热元件的芯片结构。
背景技术
将入射光转换为电信号以形成图像数据的图像传感器不仅可用于诸如数码相机、移动电话的相机、便携式摄像机等的普通消费者的电子装置中,而且可用于安装在车辆、安全装置、机器人等上的相机中。因为图像传感器可被小型化,并且具有高分辨率,因此进行致力于满足这种图像传感器的小型化和高分辨率的需求的各种研究。
发明内容
本发明构思的一方面可提供一种包括多个芯片的芯片结构。
本发明构思的一方面可提供一种包括加热元件的芯片结构。
根据本发明构思的一方面,提供了一种芯片结构。该芯片结构包括:第一下芯片结构;以及上芯片结构,其位于第一下芯片结构上并且具有像素阵列区。第一下芯片结构包括:第一下半导体衬底,其具有彼此相对的第一侧和第二侧;第一部分,其位于第一下半导体衬底的第一侧上;以及第二部分,其位于第一下半导体衬底的第二侧上,第一下芯片结构的第一部分包括栅极布线,第一下芯片结构的第二部分包括第二侧布线和加热元件,并且加热元件与第二侧布线在同一平面上,并且加热元件的长度大于第二侧布线的长度。
根据本发明构思的一方面,提供了一种芯片结构。该芯片结构包括:下半导体衬底,其具有彼此相对的第一侧和第二侧;第一部分,其位于下半导体衬底的第一侧上,并且具有栅极布线;以及第二部分,其位于下半导体衬底的第二侧时,并且具有第二侧布线和加热元件。加热元件与第二侧布线在同一平面上,并且加热元件的长度大于第二侧布线的长度。
根据本发明构思的一方面,提供了一种芯片结构。该芯片结构包括:下芯片结构,其具有布线和加热元件,加热元件与布线在同一平面上,并且加热元件的长度大于布线的长度;以及上芯片结构,其布置在下芯片结构上,并且具有像素阵列区。加热元件与像素阵列区的一部分重叠。布线的排列密度和加热元件的排列密度被构造为减小像素阵列区的不同区域之间的温差。
根据本发明构思的一方面,提供了一种芯片结构操作方法。该芯片结构操作方法包括以下步骤:操作包括温度传感器、加热元件和像素阵列区的芯片结构;通过利用温度传感器感测像素阵列区中的温度来确定像素阵列区中的高温区和低温区;以及利用加热元件加热像素阵列区中的低温区。
附图说明
将从下面结合附图的详细描述中更加清楚地理解本发明构思的以上和其它方面、特征和其它优点,其中:
图1是示意性地示出根据本发明构思的一些实施例的芯片结构的透视图;
图2是示意性地示出根据本发明构思的一些实施例的芯片结构的示例的透视图;
图3是示意性地示出根据本发明构思的一些实施例的芯片结构的示例的纵剖视图;
图4是示意性地示出芯片结构的一部分的剖面区域的框图,以示出根据本发明构思的一些实施例的芯片结构的示例;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的