[发明专利]包括加热元件的芯片结构

权利要求书

1.一种芯片结构，包括：

第一下芯片结构；以及

上芯片结构，其位于所述第一下芯片结构上并且具有像素阵列区，

所述第一下芯片结构包括：

第一下半导体衬底，其具有彼此相对的第一侧和第二侧；

第一部分，其位于所述第一下半导体衬底的第一侧上；以及

第二部分，其位于所述第一下半导体衬底的第二侧上，

其中，所述第一下芯片结构的第一部分包括栅极布线，

所述第一下芯片结构的第二部分包括第二侧布线和加热元件，并且

所述加热元件与所述第二侧布线在同一平面上，并且所述加热元件的长度大于所述第二侧布线的长度。

2.根据权利要求1所述的芯片结构，其中，所述第一下芯片结构包括下穿通电极，所述下穿通电极电连接至所述第二侧布线和所述加热元件同时穿过所述第一下半导体衬底。

3.根据权利要求1所述的芯片结构，其中，所述第二侧布线包括具有第一布线接触区的第一表面和具有第二布线接触区并且与所述第一表面相对的第二表面，并且

所述加热元件包括具有第一加热元件接触区和第二加热元件接触区的第一加热元件侧和与所述第一加热元件侧相对的第二加热元件侧。

4.根据权利要求3所述的芯片结构，还包括：

第一加热元件电极，其电连接至所述第一加热元件接触区；

第二加热元件电极，其电连接至所述第二加热元件接触区；

第一布线电极，其电连接至所述第一布线接触区；以及

第二布线电极，其电连接至所述第二布线接触区。

5.根据权利要求4所述的芯片结构，其中，所述第一加热元件电极、所述第二加热元件电极和所述第一布线电极是穿过所述第一下半导体衬底的穿通电极。

6.根据权利要求3所述的芯片结构，其中，所述第一加热元件接触区与所述第二加热元件接触区之间的长度大于所述第一布线接触区与所述第二布线接触区之间的长度。

7.根据权利要求3所述的芯片结构，其中，所述第一表面和所述第一加热元件侧实质上彼此共面。

8.根据权利要求1所述的芯片结构，其中，所述第一下芯片结构还包括温度传感器。

9.根据权利要求8所述的芯片结构，其中，所述温度传感器与所述第二侧布线和所述加热元件实质上在同一平面上。

10.根据权利要求1所述的芯片结构，还包括第二下芯片结构，所述第一下芯片结构在所述上芯片结构与所述第二下芯片结构之间，

其中，所述第二下芯片结构、所述第一下芯片结构和所述上芯片结构彼此电连接，

所述第二侧布线电连接至所述第二下芯片结构，并且

所述加热元件与所述第二下芯片结构绝缘。

11.一种芯片结构，包括：

下半导体衬底，其具有彼此相对的第一侧和第二侧；

第一部分，其位于所述下半导体衬底的第一侧上，并且具有栅极布线；以及

第二部分，其位于所述下半导体衬底的第二侧上，并且具有第二侧布线和加热元件，

其中，所述加热元件与所述第二侧布线在同一平面上，并且所述加热元件的长度大于所述第二侧布线的长度。

12.根据权利要求11所述的芯片结构，其中，所述第一部分包括第一布线区和第二布线区，

所述第二布线区是其中栅极布线的排列密度高于所述第一布线区中的栅极布线的排列密度的区，

所述第二部分包括与所述第一布线区相对的第一加热区和与所述第二布线区相对的第二加热区，并且

所述第二加热区是其中加热元件的排列密度低于所述第一加热区中的加热元件的排列密度的区。