[发明专利]EUV掩模流动中的薄膜置换在审
| 申请号： | 201810889366.7 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN109752920A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | O·索别拉奇;保罗·W·阿克曼;许杰安·希恩 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F1/68;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及EUV掩模流动中的薄膜置换，揭示一种具有第一薄膜附着的光学掩膜。该光学掩膜使用电磁辐射的第一波长以及就位的该第一薄膜予以检查。用第二薄膜置换该第一薄膜。该第一薄膜仅允许电磁辐射的该第一波长通过，该第二薄膜允许比该第一波长短的第二波长通过。使用具有就位的该第二薄膜暴露光阻。用该第一薄膜置换该第二薄膜。该光学掩膜再次使用电磁辐射的该第一波长与就位的该第一薄膜予以检查。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 波长 电磁辐射 光学掩膜 置换 就位 再次使用 附着 光阻 流动 检查 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：供应具有第一薄膜附着的光学掩膜；使用电磁辐射的第一波长检查具有就位的该第一薄膜的该光学掩膜；用第二薄膜置换该第一掩膜，其中，该第一薄膜仅允许电磁辐射的该第一波长通过，且该第二薄膜允许比该第一波长短的第二波长通过；使用具有就位的该第二掩膜的该光学掩膜曝光光阻；使用该第一薄膜置换该第二薄膜；以及使用电磁辐射的该第一波长，检查具有就位的该第一薄膜的该光学掩膜。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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