[发明专利]EUV掩模流动中的薄膜置换

说明书

本发明涉及EUV掩模流动中的薄膜置换，揭示一种具有第一薄膜附着的光学掩膜。该光学掩膜使用电磁辐射的第一波长以及就位的该第一薄膜予以检查。用第二薄膜置换该第一薄膜。该第一薄膜仅允许电磁辐射的该第一波长通过，该第二薄膜允许比该第一波长短的第二波长通过。使用具有就位的该第二薄膜暴露光阻。用该第一薄膜置换该第二薄膜。该光学掩膜再次使用电磁辐射的该第一波长与就位的该第一薄膜予以检查。

技术领域

本发明涉及光刻中使用的光学掩膜，更具体而言，涉及极紫外(EUV)掩模上的薄膜使用。

背景技术

多层集成电路(IC)设备一般是逐层形成的。导电体、绝缘体、或半导体可以通过图案化植入工艺、图案化沉积工艺、图案化材料移除工艺等形成在这些层内。这种图案化工艺通常使用光刻掩膜来实现所需的图案。

在一实施例中，当在光刻工艺中图案化材料时，待图案化的材料可以通过任何已知的方法生长或沉积，并且一图案化层(例如一有机光阻剂)可形成于该材料的上方。该图案化层(阻剂)可以暴露于使用光学掩膜以曝光图案提供的某种图案的光辐射(例如，图案化曝光，激光曝光等)中，然后使用化学试剂显影该阻剂。此工艺改变了暴露于光的阻剂的部分的物理特性。然后，可以将阻剂的一部分冲洗掉，留下阻剂的其他部分以保护待图案化的材料(阻剂的哪一部分被冲洗掉取决于该阻剂是否为负性阻剂(照明部分保留)或正性阻剂(照明部分被冲洗掉))。然后执行一材料移除工艺(例如，湿蚀刻、各向异性蚀刻(取向相关蚀刻)、等离子蚀刻(反应离子蚀刻(RIE)))以移除低于该阻剂的材料的未受保护部分。该阻剂随后被移除以根据该光曝光图案(或其负影像)留下图案化的底层材料。

例如，一光化辐射是能够在光阻中产生光化学反应的电磁辐射，且该光化辐射可以是紫外线；X射线；低压汞灯光束的i线，h线或g线；氙灯光束；深UV光束，如KrF,ArF或F2准分子激光束；一同步加速器轨道辐射光束(SOR)；一电子光束(EB)；γ射线；一离子束，等。

随着特征尺寸的额减小，该光学掩膜的技术得到改善。例如，一些光学掩膜具有允许光在一特定图案中穿过的透明区域，以及其他掩膜，例如极紫外(EUV)掩膜使用具有通过将该EUV掩膜反射入明暗区的所需图案中以改变光的图案化元件的反射掩膜而实现显着的尺寸减小。

这样的光学掩膜使用保护膜(通常被称为薄膜)以保护该光学掩膜不受损伤。虽然薄膜可以透明或留在透明光学掩膜的位置，但在曝光、检查等期间，利用反射掩膜(例如EUV掩膜)，该薄膜通常被移除，这会使得当该薄膜不到位时，该反射掩膜极易受到损坏。

发明内容

本文中的各种方法接收或制造极紫外(EUV)掩膜。EUV掩膜具有反射光学特性，并且能够以非常小的波长光(例如比15纳米短)操作以图案化该光阻中非常小的特征。这些方法使用薄膜框(钉)将第一薄膜安装于该EUV掩膜上，或接收具有已安装有该第一薄膜的该EUV掩膜。该第一薄膜通常在该EUV掩膜离开该掩膜室之前被安装，且该EUV掩膜与该就位的第一薄膜一起被传输。该第一薄膜仅允许比EUV波长长的电磁辐射的波长通过。

这些方法在曝光之前使用第二薄膜置换该第一薄膜。该第二薄膜使用该薄膜框而连接至该EUV掩膜。这种方法使用具有就位的该第二薄膜的该EUV掩膜将光阻暴露于光的EUV波长中。当该掩膜的制造在掩膜室中执行时，该曝光工艺在晶片制造区域中执行。在该曝光工艺完成之后，这些方法使用该第一薄膜置换该第二薄膜。