[发明专利]EUV掩模流动中的薄膜置换

权利要求书

1.一种方法，包括：

供应具有第一薄膜附着的光学掩膜；

使用电磁辐射的第一波长检查具有就位的该第一薄膜的该光学掩膜；

用第二薄膜置换该第一掩膜，其中，该第一薄膜仅允许电磁辐射的该第一波长通过，且该第二薄膜允许比该第一波长短的第二波长通过；

使用具有就位的该第二掩膜的该光学掩膜曝光光阻；

使用该第一薄膜置换该第二薄膜；以及

使用电磁辐射的该第一波长，检查具有就位的该第一薄膜的该光学掩膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一薄膜包括具有第一厚度的第一膜体，该第二薄膜包括具有小于该第一薄膜的该第一膜体的该厚度的一半的第二厚度的第二膜体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一薄膜的结构性比该第二薄膜强。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一薄膜包括有机聚合物，该第二薄膜包括硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一薄膜以及该第二薄膜用薄膜框附着至该光学掩膜。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在掩膜室中执行该光学掩膜的制造，该曝光在晶片制造区域中执行，且其中，在该光学掩膜离开该掩膜室之前，执行该第一薄膜的安装。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一波长比15纳米长。

8.一种方法，包括：

制造极紫外(EUV)掩膜；

安装第一薄膜于该EUV掩膜上；

传输具有就位的该第一薄膜的该EUV掩膜；

使用比EUV波长长的电磁辐射的波长检查具有就位的该第一薄膜的该EUV掩膜；

用第二薄膜置换该第一薄膜，其中，该第一薄膜仅允许比EUV波长长的电磁辐射的波长通过，该第二薄膜允许电磁辐射的EUV波长通过；

使用具有就位的该第二薄膜的该EUV掩膜曝光光阻；

在曝光之后，用该第一薄膜置换该第二薄膜；

使用比EUV波长长的电磁辐射的波长检查具有就位的该第一薄膜的该EUV掩膜；

处理该EUV掩膜，其中，当处理该EUV掩膜时，该第一薄膜被保留；以及

附着该第一薄膜至不同的EUV掩膜，并使用具有该第一薄膜附着的该不同的EUV掩膜重复该传输及该检查。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，该第一薄膜包括具有第一厚度的第一膜体，该第二薄膜包括具有小于该第一薄膜的该第一膜体的该厚度的一半的第二厚度的第二膜体。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，该第一薄膜的结构性比该第二薄膜强。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，该第一薄膜包括有机聚合物，该第二薄膜包括硅。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，该第一薄膜与该第二薄膜用薄膜框附着至该EUV掩膜。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，该制造在掩膜室中执行，该曝光在晶片制造区域中执行，且其中，在该EUV掩膜离开该掩膜室之前，执行该第一薄膜的安装。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，该EUV波长比15纳米短。