[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 201810887534.9 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110176457B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 村越笃;佐佐木広器 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种提升存储单元的存储保持特性且能够微细化的存储装置。实施方式的存储装置具备：多个电极膜，在第1方向积层，且在与所述第1方向交叉的第2方向延伸；第1半导体膜，接近所述多个电极膜而设置，且在所述第1方向延伸；第1电荷保持膜，设置在所述多个电极膜中的1个电极膜与所述半导体膜之间，包含金属、金属化合物、或高介电材料中的任一者；及第2半导体膜，位于所述第1半导体膜与所述电荷保持膜之间，于所述第1半导体膜与所述多个第1电极膜的一个之间以及所述第1半导体膜与所述多个第1电极膜的另一个之间在所述第1方向连续地延伸。所述第2半导体膜与所述多个电极膜、所述第1电荷保持膜及所述第1半导体膜电性绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，其特征在于具备：多个第1电极膜，在第1方向积层，且在与所述第1方向交叉的第2方向延伸；第1半导体膜，接近所述多个第1电极膜而设置，且在所述第1方向延伸；第1电荷保持膜，设置在所述多个第1电极膜中的1个第1电极膜与所述第1半导体膜之间，且包含金属、金属化合物、或高介电材料中的任一者；及第2半导体膜，位于所述第1半导体膜与所述第1电荷保持膜之间，于所述第1半导体膜与所述多个第1电极膜的一个之间以及所述第1半导体膜与所述多个第1电极膜的另一个之间在所述第1方向连续地延伸，且与所述多个第1电极膜、所述第1电荷保持膜及所述第1半导体膜电性绝缘。
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