[发明专利]存储装置

说明书

实施方式提供一种提升存储单元的存储保持特性且能够微细化的存储装置。实施方式的存储装置具备：多个电极膜，在第1方向积层，且在与所述第1方向交叉的第2方向延伸；第1半导体膜，接近所述多个电极膜而设置，且在所述第1方向延伸；第1电荷保持膜，设置在所述多个电极膜中的1个电极膜与所述半导体膜之间，包含金属、金属化合物、或高介电材料中的任一者；及第2半导体膜，位于所述第1半导体膜与所述电荷保持膜之间，于所述第1半导体膜与所述多个第1电极膜的一个之间以及所述第1半导体膜与所述多个第1电极膜的另一个之间在所述第1方向连续地延伸。所述第2半导体膜与所述多个电极膜、所述第1电荷保持膜及所述第1半导体膜电性绝缘。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2018-27594号(申请日：2018年2月20日)为基础申请案的优先权。本申请通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

实施方式涉及一种存储装置。

背景技术

业界正进行通过三维配置存储单元而使存储容量增大的存储装置的开发。例如，NAND型存储装置具有如下存储单元构造，即，积层多个电极膜，且在沿其积层方向延伸的半导体膜与各电极膜之间配置有电荷保持部。电荷保持部为了提升其存储保持特性，优选具有例如包含多晶硅的浮动栅极、及包含金属或高介电常数材料的电荷保持膜。然而，在电极膜与半导体膜之间包含浮动栅极及电荷保持膜的两者的构造的存储单元在其尺寸的缩小存在极限，因而成为妨碍微细化的主要因素。

发明内容

实施方式提供一种提升存储单元的存储保持特性的能够微细化的存储装置。

实施方式的存储装置具备：多个第1电极膜，于第1方向积层，且在与所述第1方向交叉的第2方向延伸；第1半导体膜，接近所述多个第1电极膜而设置，且在所述第1方向延伸；第1电荷保持膜，设置在所述多个第1电极膜中的1个第1电极膜与所述第1半导体膜之间，且包含金属、金属化合物、或高介电材料中的任一者；及第2半导体膜，位于所述第1半导体膜与所述第1电荷保持膜之间，于所述第1半导体膜与所述多个第1电极膜的一个之间以及所述第1半导体膜与所述多个第1电极膜的另一个之间在所述第1方向连续地延伸。所述第2半导体膜与所述多个第1电极膜、所述第1电荷保持膜及所述第1半导体膜电性绝缘。

附图说明

图1是表示实施方式的存储装置的示意剖视图。

图2的(a)、(b)是表示实施方式的存储装置的存储单元的示意图。

图3是表示实施方式的存储装置的制造过程的示意图。

图4是表示继图3的制造过程的示意图。

图5是表示继图4的制造过程的示意图。

图6是表示继图5的制造过程的示意图。

图7的(a)、(b)是表示继图6的制造过程的示意图。

图8是表示继图7的制造过程的示意图。

图9是表示继图8的制造过程的示意图。

图10的(a)、(b)是表示继图9的制造过程的示意图。

图11的(a)、(b)是表示继图10的制造过程的示意图。

图12的(a)、(b)是表示继图11的制造过程的示意图。

图13的(a)～(c)是表示继图12的制造过程的示意图。

图14是表示继图13的制造过程的示意图。

图15是表示继图14的制造过程的示意图。

图16的(a)～(c)是表示继图15的制造过程的示意图。