[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于具备：

多个第1电极膜，在第1方向积层，且在与所述第1方向交叉的第2方向延伸；

第1半导体膜，接近所述多个第1电极膜而设置，且在所述第1方向延伸；

第1电荷保持膜，设置在所述多个第1电极膜中的1个第1电极膜与所述第1半导体膜之间，且包含金属、金属化合物、或高介电材料中的任一者；及

第2半导体膜，位于所述第1半导体膜与所述第1电荷保持膜之间，于所述第1半导体膜与所述多个第1电极膜的一个之间以及所述第1半导体膜与所述多个第1电极膜的另一个之间在所述第1方向连续地延伸，且与所述多个第1电极膜、所述第1电荷保持膜及所述第1半导体膜电性绝缘。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：进而具备多个绝缘膜，分别设置在所述多个第1电极膜之间，

所述多个绝缘膜包含第1绝缘膜及第2绝缘膜，这些第1绝缘膜及第2绝缘膜以隔着所述多个第1电极膜中的所述1个第1电极膜的方式设置，

所述第1电荷保持膜位于所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间。

3.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征在于：所述第1电荷保持膜包含金属氮化物。

4.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征在于：所述第2半导体膜是以包围所述第1半导体膜的方式设置。

5.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征在于：所述第2半导体膜包含P型杂质。

6.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征在于进而具备：

多个第2电极膜，在所述第1方向积层，且沿所述第2方向延伸；及

第2电荷保持膜，设置在所述多个第2电极膜中的1个第2电极膜与所述第1半导体膜之间；且

所述第1半导体膜位于所述多个第1电极膜与所述多个第2电极膜之间，

所述第2半导体膜的一部分位于所述第2电荷保持膜与所述第1半导体膜之间。