[发明专利]半导体存储器件在审
| 申请号： | 201810885804.2 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN109390005A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 薮内诚 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;张昊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体存储器件，其可以被高度集成并且减小由于VSS布线的寄生电容值而引起的电位波动(IR压降)。半导体存储器件包括：第一字线；第二字线；第一匹配线；第二匹配线；第一存储器单元，接合至第一字线、第二字线和第一匹配线；以及第二存储器单元，接合至第一字线、第二字线和第二匹配线。第一存储器单元和第二存储器单元布置为在平面图中彼此相邻，并且第一字线和第二字线是使用第一布线层中的布线形成的。第一匹配线和第二匹配线是使用设置为与第一布线层相邻的第二布线层中的布线形成的。第一字线和第二字线被设置为彼此平行地位于两条第一布线之间。第一匹配线和第二匹配线被设置为彼此平行地位于两条第二布线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 字线 匹配线 布线 半导体存储器件 布线层 存储器单元 第二存储器 彼此平行 接合 单元布置 电位波动 高度集成 寄生电容 减小 压降 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：第一字线；第二字线；第一匹配线；第二匹配线；第一存储器单元，接合至所述第一字线、所述第二字线和所述第一匹配线；以及第二存储器单元，接合至所述第一字线、所述第二字线和所述第二匹配线；其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元布置为在平面视图中彼此相邻，其中所述第一字线和所述第二字线是使用第一布线层中的布线形成的；其中所述第一匹配线和所述第二匹配线是使用设置为与所述第一布线层相邻的第二布线层中的布线形成的，其中所述第一字线和所述第二字线被设置为彼此平行地位于两条第一布线之间，第一参考电位被提供至所述两条第一布线，并且其中所述第一匹配线和所述第二匹配线被设置为彼此平行地位于两条第二布线之间，所述第一参考电位被提供至所述两条第二布线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810885804.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热量疏导期间对数据块进行路由
- 下一篇：列译码器及应用其的存储器系统
