[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

第一字线；

第二字线；

第一匹配线；

第二匹配线；

第一存储器单元，接合至所述第一字线、所述第二字线和所述第一匹配线；以及

第二存储器单元，接合至所述第一字线、所述第二字线和所述第二匹配线；

其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元布置为在平面视图中彼此相邻，

其中所述第一字线和所述第二字线是使用第一布线层中的布线形成的；

其中所述第一匹配线和所述第二匹配线是使用设置为与所述第一布线层相邻的第二布线层中的布线形成的，

其中所述第一字线和所述第二字线被设置为彼此平行地位于两条第一布线之间，第一参考电位被提供至所述两条第一布线，并且

其中所述第一匹配线和所述第二匹配线被设置为彼此平行地位于两条第二布线之间，所述第一参考电位被提供至所述两条第二布线。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，包括使用所述第二布线层中的布线形成的第一屏蔽布线，

其中所述第一匹配线和所述第二匹配线具有所述第一匹配线与所述第二匹配线平行的部分以及所述第一屏蔽布线设置在所述第一匹配线和所述第二匹配线之间的部分。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，包括：

两个第二屏蔽布线，使用设置为与所述第二布线层相邻的第三布线层中的布线形成，

其中所述两个第二屏蔽布线设置在所述第一匹配线和所述第二匹配线的上侧上。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，包括：

两个第二屏蔽布线，使用设置为与所述第二布线层相邻的第三布线层中的布线形成，并且设置在所述第一匹配线和所述第二匹配线的上侧上，以及

信号布线，使用所述第三布线层中的布线形成，并且设置在所述两个第二屏蔽布线之间。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

其中所述第一字线和所述第二字线具有使用所述第一布线层中的布线形成的部分以及使用所述第二布线层中的布线形成的部分。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，

其中在使用所述第一字线和所述第二字线的所述第二布线层中的布线形成的部分的下侧上形成功能块。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，包括：

存储器阵列，其中布置有所述第一存储器单元和所述第二存储器单元；

用于预充电电路的形成区域，所述预充电电路为所述第一匹配线和所述第二匹配线进行预充电；以及

解耦电容，布置在所述存储器阵列与用于所述预充电电路的形成区域之间。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，包括：

存储器阵列，其中布置有所述第一存储器单元和所述第二存储器单元；

用于字线驱动器电路的形成区域，所述字线驱动器电路驱动所述第一字线和所述第二字线；以及

解耦电容，布置在所述存储器阵列与用于所述字线驱动器电路的形成区域之间。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，包括一对搜索线，

其中所述一对搜索线通过被接合至所述第一存储器单元和所述第二存储器单元而被共享。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，

其中所述一对搜索线布置在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元之间。