[发明专利]半导体存储器件

说明书

本发明的目的在于提供一种半导体存储器件，其可以被高度集成并且减小由于VSS布线的寄生电容值而引起的电位波动(IR压降)。半导体存储器件包括：第一字线；第二字线；第一匹配线；第二匹配线；第一存储器单元，接合至第一字线、第二字线和第一匹配线；以及第二存储器单元，接合至第一字线、第二字线和第二匹配线。第一存储器单元和第二存储器单元布置为在平面图中彼此相邻，并且第一字线和第二字线是使用第一布线层中的布线形成的。第一匹配线和第二匹配线是使用设置为与第一布线层相邻的第二布线层中的布线形成的。第一字线和第二字线被设置为彼此平行地位于两条第一布线之间。第一匹配线和第二匹配线被设置为彼此平行地位于两条第二布线之间。

相关申请的交叉参考

2017年8月7日提交的日本专利申请第2017-152780号的包括说明书、附图和摘要的公开通过引证并入本文。

技术领域

本公开涉及一种半导体存储器件，并且具体可以应用于可结合到半导体器件中的内容可寻址存储器以及包括内容可寻址存储器的半导体器件。

背景技术

在称为相关存储器或CAM(内容可寻址存储器)的半导体存储器件中存储的内容中搜索与搜索线(搜索数据)匹配的数据字(条目)。在可以找到与搜索字匹配的字数据的情况下，输出其地址。

作为CAM，存在BCAM(二元CAM)和TCAM(三元CAM)。BCAM的每个存储单元存储“0”或“1”的信息。另一方面，TCAM的每个存储单元不仅存储“0”和“1”的信息，而且还存储“不关心”。“不关心”表示可以存储“0”和“1”中任一个。

近年来，使用TCAM的TCAM器件被广泛用于诸如因特网的网络的路由器中的地址搜索和访问控制。

日本未审查专利申请公开第2007-19166号的第二实施例公开了两个存储单元共享搜索线的技术。

发明内容

在结合到半导体器件中的TCAM中需要大存储容量。因此，需要通过减小TCAM的存储单元的布局的面积来提供一种高度集成且大容量的TCAM。此外，TCAM在搜索操作时消耗大量的电流。电流流入提供存储单元中的地电位VSS的VSS布线中。因此，一种目标在于减小由于VSS布线的寄生电容值而导致的电位波动(IR压降)。

本公开的目的在于提供一种半导体存储器件，其可以被高度集成并且减小由于VSS布线的寄生电容值而引起的电位波动(IR压降)。

其他目的和新颖特征将从说明书和附图的描述中变得容易理解。

以下是本公开的代表性总结。

即，一种半导体存储器件包括：第一字线；第二字线；第一匹配线；第二匹配线；第一存储器单元，接合至第一字线、第二字线和第一匹配线；以及第二存储器单元，接合至第一字线、第二字线和第二匹配线。第一存储器单元和第二存储器单元布置为在平面视图中彼此相邻，并且第一字线和第二字线是使用第一布线层中的布线形成的。第一匹配线和第二匹配线是使用设置为与第一布线层相邻的第二布线层中的布线形成的。第一字线和第二字线被设置为彼此平行地位于两条第一布线之间，第一参考电位被提供至这两条第一布线。第一匹配线和第二匹配线被设置为彼此平行地位于两条第二布线之间，第一参考电位被提供至这两条第二布线。

根据上述半导体存储器件，可以高速集成并且减小由于VSS布线的寄生电容值而引起的电位波动(IR压降)。

附图说明

图1是用于示出根据一个示例的TCAM单元的配置的示例的电路图；

图2是用于以表格形式示出存储在图1的MCX单元和MCY单元中的内容与TCAM单元的数据之间的对应关系的示图；

图3是用于示出根据该示例的存储阵列的配置示例的示图；