[发明专利]一种阵列基板的制作方法

摘要

本发明提供了一种阵列基板的制作方法，包括：提供一基板，所述基板包括基底以及设置在所述基底上的多晶硅层，在所述多晶硅层上依次沉积第一金属层和第二金属层；进行第一次图案化，所述第二金属层包括突出于所述第三金属层的第一待蚀刻区域；进行第二次图案化，以去掉所述第二金属层的第一待蚀刻区域；进行第三次图案化，所述第二金属层包括突出于所述第三金属层的第二待蚀刻区域；进行第四次图案化，去掉第二金属层的第二待蚀刻区域。本发明通过采用干蚀刻的方式去掉金属线中残留金属钼，在减少金属线湿蚀刻时间的同时又能降低金属钼残留的风险，进而避免了金属线线宽过细导致的断线问题。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、提供一基板，所述基板包括基底以及设置在所述基底上的多晶硅层，在所述多晶硅层上依次沉积第一金属层和第二金属层；S20、对所述第一金属层和所述第二金属层进行第一次图案化，形成第一金属第一图案层和第二金属第一图案层，所述第一金属图案层包括突出于所述第二金属第一图案层的第一待蚀刻区域；S30、对所述第一金属第一图案层进行第二次图案化，以去掉所述第一待蚀刻区域，获得第一金属第二图案层；S40、对所述第一金属第二图案层和所述第二金属第一图案层进行第三次图案化，形成第一金属第三图案层和第二金属，所述第一金属第三图案层包括突出于所述第二金属的第二待蚀刻区域；S50、对所述第一金属第三图案层进行第四次图案化，去掉所述第二待蚀刻区域，获得第一金属；其中，所述阵列基板包括所述第一金属和所述第二金属共同组成的金属线。