[发明专利]一种阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S 10、提供一基板，所述基板包括基底以及设置在所述基底上的多晶硅层，在所述多晶硅层上依次沉积第一金属层和第二金属层；

S20、对所述第一金属层和所述第二金属层进行第一次图案化，形成第一金属第一图案层和第二金属第一图案层，所述第一金属第一图案层包括突出于所述第二金属第一图案层的第一待蚀刻区域；

S30、对所述第一金属第一图案层进行第二次图案化，以去掉所述第一待蚀刻区域，获得第一金属第二图案层；

S40、对所述第一金属第二图案层和所述第二金属第一图案层进行第三次图案化，形成第一金属第三图案层和第二金属，所述第一金属第三图案层包括突出于所述第二金属的第二待蚀刻区域；

S50、对所述第一金属第三图案层进行第四次图案化，去掉所述第二待蚀刻区域，获得第一金属；

其中，所述阵列基板包括所述第一金属和所述第二金属共同组成的金属线，所述第一金属的制备材料为钼，所述第二金属的制备材料为铜。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S20中，第一金属层和所述第二金属层进行第一次图案化后，所述第二金属第一图案层的表面设置有第一光阻层，所述第一光阻层包括突出于第二金属第一图案层的边缘区域；

所述步骤S20还包括：所述第一金属层和所述第二金属层进行第一次图案化后，灰化所述第一光阻层以去掉所述第一光阻层的边缘区域。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S30还包括：对所述第一金属第一图案层进行第二次图案化，在去掉所述第一待蚀刻区域的同时图案化所述多晶硅层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S30具体包括：

采用蚀刻气体蚀刻所述第一金属第一图案层，去掉所述第一待蚀刻区域；

其中所述蚀刻气体包括第一气体和第二气体，所述第一气体为四氟化碳、氯三氟甲烷、二氯二氟甲烷中的至少一者；所述第二气体为氧气。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述步骤S40中，对所述第一金属第二图案层和所述第二金属第二图案层进行第三次图案化后，所述第二金属第三图案层的表面设置有第二光阻层；

所述步骤S40还包括：对所述第一金属第二图案层和所述第二金属第二图案层进行第三次图案化，剥离所述第二光阻层。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一次图案化和所述第三次图案化为湿性蚀刻，所述第二次图案化和所述第四次图案化为干性蚀刻。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S50具体包括：

采用蚀刻气体蚀刻所述第一金属第三图案层，去掉第二待蚀刻区域；

其中所述蚀刻气体包括第一气体和第二气体，所述第一气体为四氟化碳、氯三氟甲烷、二氯二氟甲烷中的至少一者；所述第二气体为氧气。

8.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属线为源漏极金属线。