[发明专利]一种阵列基板的制作方法

说明书

本发明提供了一种阵列基板的制作方法，包括：提供一基板，所述基板包括基底以及设置在所述基底上的多晶硅层，在所述多晶硅层上依次沉积第一金属层和第二金属层；进行第一次图案化，所述第二金属层包括突出于所述第三金属层的第一待蚀刻区域；进行第二次图案化，以去掉所述第二金属层的第一待蚀刻区域；进行第三次图案化，所述第二金属层包括突出于所述第三金属层的第二待蚀刻区域；进行第四次图案化，去掉第二金属层的第二待蚀刻区域。本发明通过采用干蚀刻的方式去掉金属线中残留金属钼，在减少金属线湿蚀刻时间的同时又能降低金属钼残留的风险，进而避免了金属线线宽过细导致的断线问题。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板的制作方法。

背景技术

在高世代显示面板中，铜材料以其低阻抗的优点逐渐成为金属线中传统铝材料的替代品。

现有的铜导线的厚度通常为3000埃米，但是随着显示面板尺寸的增大和分辨率的提高，传统的铜导线逐渐难以解决相位电路延迟等其它问题，通常的解决方法是增加铜导线的厚度。

在铜导线的制备过程中，由于厚度增加会导致铜导线在湿蚀刻过程中的蚀刻时间增加，进而造成铜导线线宽过细，致使铜导线断线的风险增加；如果减少铜导线湿蚀刻的时间，将会存在金属线(铜/钼结构)中钼金属残留的风险。因此目前亟需一种阵列基板的制备方法以解决上述问题。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板的制作方法，以解决在阵列基板的制备过程中由于金属线的湿蚀刻时间较少导致钼金属残留的问题。

根据本发明的一个方面，提供了一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

S10、提供一基板，所述基板包括基底以及设置在所述基底上的多晶硅层，在所述多晶硅层上依次沉积第一金属层和第二金属层；

S20、对所述第一金属层和所述第二金属层进行第一次图案化，形成第一金属第一图案层和第二金属第一图案层，所述第一金属第一图案层包括突出于所述第二金属第一图案层的第一待蚀刻区域；

S30、对所述第一金属第一图案层进行第二次图案化，以去掉所述第一待蚀刻区域，获得第一金属第二图案层；

S40、对所述第一金属第二图案层和所述第二金属第一图案层进行第三次图案化，形成第一金属第三图案层和第二金属，所述第一金属第三图案层包括突出于所述第二金属的第二待蚀刻区域；

S50、对所述第一金属第三图案层进行第四次图案化，去掉所述第二待蚀刻区域，获得第一金属；

其中，所述阵列基板包括所述第一金属和所述第二金属共同组成的金属线。

根据本发明一优选实施例，所述第一金属的制备材料为钼，所述第二金属的制备材料为铜。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S20中，第一金属层和所述第二金属层进行第一次图案化后，所述第二金属第一图案层的表面设置有第一光阻层，所述第一光阻层包括突出于第二金属第一图案层的边缘区域；

所述步骤S20还包括：所述第一金属层和所述第二金属层进行第一次图案化后，灰化所述第一光阻层以去掉所述第一光阻层的边缘区域。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S30还包括：对所述第一金属第一图案层进行第二次图案化，在去掉所述第一待蚀刻区域的同时图案化所述多晶硅层。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S30具体包括：

采用蚀刻气体蚀刻所述第一金属第一图案层，去掉所述第一待蚀刻区域；

其中所述蚀刻气体包括第一气体和第二气体，所述第一气体为四氟化碳、氯三氟甲烷、二氯二氟甲烷中的至少一者；所述第二气体为氧气。