[发明专利]一种晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种晶体管及其制作方法，该方法包括：提供第一导电类型的衬底和外延层；在所述外延层上表面形成第一沟槽，其底部及侧壁形成栅氧化层并填充多晶硅以形成栅极结构；在所述外延层上表面形成第二沟槽；在所述第二沟槽底部及侧壁形成第二导电类型的体区；在所述外延层上表面形成氧化层；在所述第二沟槽内的氧化层上表面形成第三沟槽；在所述第三沟槽底部及侧壁形成第二导电类型的体区；在所述第三沟槽内部形成所述隔离氧化层；在所述第二沟槽内形成第二导电类型的深体区。本发明通过光刻精确控制导电沟道的宽度，使用氧化层防止VDMOS反偏时被击穿，采用外延形成所述深体区减小体区电阻，提升了器件的EAS能力，提高了VDMOS的工作性能。

主权项

1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面形成第一导电类型的外延层；在所述外延层上表面形成第一沟槽，其底部及侧壁形成栅氧化层并填充多晶硅以形成栅极结构；在所述外延层上表面形成第二沟槽；在所述第二沟槽底部及侧壁形成第二导电类型的体区；在所述外延层上表面形成氧化层；在所述第二沟槽内的氧化层上表面形成第三沟槽；在所述第三沟槽底部及侧壁形成第二导电类型的体区；在所述第三沟槽内部形成所述隔离氧化层；在所述第二沟槽内形成第二导电类型的深体区；在所述体区和所述深体区形成第一导电类型的源区；在所述外延层上表面形成介质层；在所述晶体管的上表面形成源极金属层，在所述晶体管下表面形成漏极金属层。