[发明专利]一种晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一导电类型的衬底；

在所述衬底上表面形成第一导电类型的外延层；

在所述外延层上表面形成第一沟槽，其底部及侧壁形成栅氧化层并填充多晶硅以形成栅极结构；

在所述外延层上表面形成第二沟槽；

在所述第二沟槽底部及侧壁形成第二导电类型的体区；

在所述外延层上表面形成氧化层；

在所述第二沟槽内的氧化层上表面形成第三沟槽；

在所述第三沟槽底部及侧壁形成第二导电类型的体区；

在所述第三沟槽内部形成所述隔离氧化层；

在所述第二沟槽内形成第二导电类型的深体区；

在所述体区和所述深体区形成第一导电类型的源区；

在所述外延层上表面形成介质层；

在所述晶体管的上表面形成源极金属层，在所述晶体管下表面形成漏极金属层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述外延层上表面形成第二沟槽具体包括，所述外延层通过光刻和刻蚀形成所述第二沟槽，所述第二沟槽形成于两个相邻的所述第一沟槽的中间。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第二沟槽内的氧化层上表面形成第三沟槽具体包括，对所述氧化层进行光刻和刻蚀形成所述第三沟槽，所述第三沟槽深度大于所述第二沟槽深度。

4.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成所述体区后对所述体区进行热处理，用于使离子扩散至栅氧化层侧壁。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第二沟槽内形成第二导电类型的深体区具体包括，所述第二沟槽填充第二导电类型的重掺杂外延形成深体区，对所述深体区沿晶体管上表面进行干法回刻，用于使晶体管上表面平坦化。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述深体区形成第一导电类型的源区具体包括，在所述体区和所述深体区进行光刻及离子注入形成源区，所述离子类型为第一导电类型。

7.一种晶体管，其特征在于，包括:

第一导电类型的衬底；

第一导电类型的外延层，形成于所述衬底上表面；

第一沟槽，形成于所述外延层上表面，其底部及侧壁形成栅氧化层并填充有多晶硅形成栅极结构；

第二沟槽，形成于所述外延层上表面；

第二导电类型体区，形成于所述第二沟槽底部及侧壁；

氧化层，形成于所述外延层上表面；

第三沟槽，形成于所述第二沟槽内的氧化层上表面；

第二导电类型的体区，形成于所述第三沟槽底部及侧壁；

隔离氧化层，形成于所述第三沟槽内部；

第二导电类型的深体区，形成于所述第二沟槽内；

第一导电类型的源区，形成于所述体区和所述深体区；

介质层，形成于所述外延层上表面；

源极金属层，形成于所述晶体管的上表面，漏极金属层，形成于所述晶体管下表面。

8.根据权利要求7所述的沟槽型晶体管，其特征在于，所述第一沟槽的深度未超过所述外延层深度，所述第一沟槽垂直于所述外延层上表面。

9.根据权利要求7所述的沟槽型晶体管，其特征在于，所述第一沟槽的底部及侧壁形成栅氧化层，所述第一沟槽填充的多晶硅以形成栅极结构。

10.根据权利要求7所述的沟槽型晶体管，其特征在于，所述隔离氧化层通过淀积工艺形成于所述第三沟槽内，用于防止晶体管反偏时被提前击穿和减小反偏时对体区的影响。