[发明专利]掺杂多晶硅的制作方法及其应用有效
| 申请号： | 201810863614.0 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109003896B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林忱;冯玉春;杨小宝;陈运金 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L21/336;H01L29/167;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了制作掺杂多晶硅的方法及其应用。所述制作掺杂多晶硅的方法包括：在多晶硅层的上表面上形成中间层；在中间层的上表面上形成图案化光刻胶；从图案化光刻胶的上方对多晶硅层进行离子注入；剥离中间层。由此，上述制作掺杂多晶硅的方法简单，易实施，易于工业化生产，且制作成本低，节省产能；且由于在上述工艺中，完成对多晶硅层的离子注入之后，直接剥离中间层，此时硬化的图案化光刻胶也就随之去除，所以整个制作掺杂多晶硅的方法中无需采用灰化工艺去除图案化光刻胶，进而避免了灰化对多晶硅的伤害，进而可以提升制作得到的掺杂多晶硅的电学性能，进而提高使用该掺杂多晶硅的器件的使用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 多晶 制作方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种制作掺杂多晶硅的方法，其特征在于，包括：在多晶硅层的上表面上形成中间层；在所述中间层的上表面上形成图案化光刻胶；从所述图案化光刻胶的上方对所述多晶硅层进行离子注入；剥离所述中间层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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