[发明专利]掺杂多晶硅的制作方法及其应用

说明书

本发明提供了制作掺杂多晶硅的方法及其应用。所述制作掺杂多晶硅的方法包括：在多晶硅层的上表面上形成中间层；在中间层的上表面上形成图案化光刻胶；从图案化光刻胶的上方对多晶硅层进行离子注入；剥离中间层。由此，上述制作掺杂多晶硅的方法简单，易实施，易于工业化生产，且制作成本低，节省产能；且由于在上述工艺中，完成对多晶硅层的离子注入之后，直接剥离中间层，此时硬化的图案化光刻胶也就随之去除，所以整个制作掺杂多晶硅的方法中无需采用灰化工艺去除图案化光刻胶，进而避免了灰化对多晶硅的伤害，进而可以提升制作得到的掺杂多晶硅的电学性能，进而提高使用该掺杂多晶硅的器件的使用性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及掺杂多晶硅的制作方法及其应用，更具体的，涉及制作掺杂多晶硅的方法、薄膜晶体管及其的制作方法和显示器件。

背景技术

显示技术近年来飞速发展，薄膜晶体管(Thin Film Transistor)由早期的非晶硅(a-Si)薄膜晶体管发展到低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)薄膜晶体管，相比于传统的非晶硅薄膜晶体管显示器，LTPS薄膜晶体管的电子迁移率可以达到200cm²/V-sec以上，可以有效减小薄膜晶体管器件的面积，提高开口率，并且在增进显示器亮度的同时还可以降低整体的功耗。除此之外，较高的电子迁移率可以将部分驱动电路集成在玻璃基板上，减少了驱动IC，大幅提升显示面板的可靠度，使面板的制造成本大幅降低。因此，LTPS薄膜晶体管逐渐成为显示领域的研究热点。

目前在LTPS薄膜晶体管的制作过程中，为了使源漏电极和低温多晶硅(LTPS)有源层之间形成良好的电连接以及抑制漏电流，需要在LTPS有源层制备完成后用离子注入(Doping)工艺进行离子掺杂，在有源层中形成重掺杂区域和轻掺杂区域，但是重掺杂后光刻胶会发生硬化(碳化)，光刻胶的碳化现象可参照图1中的虚线框部分，需要进行灰化(Ashing)工艺去除表面硬化的光刻胶，再进行剥离(Strip)去除剩余的光刻胶。但对硬化的光刻胶进行灰化时，存在难以将光刻胶图形彻底灰化的问题，以及灰化气体灰化效率不高的问题，这都会造成硬化的光刻胶难以剥离而造成残留；此外，灰化时，采用的氧气等离子体会对表面无光刻胶保护的区域的低温多晶硅有源层衬底造成一定程度的影响：

(1)导致多晶硅衬底表面产生凹陷，该凹陷会对衬底上的器件、后续工艺步骤以及最终显示器件的性能造成影响；

(2)导致掺杂区域中离子的分布发生变化，进而使形成的多晶硅有源层的性能发生改变；

(3)氧化低温多晶硅层的重掺杂区，造成源漏电极与重掺杂区域之间的接触电阻增大，甚至造成电学性连接不良。

因此，目前的LTPS薄膜晶体管相关技术仍有待改进。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种制作掺杂多晶硅的方法，该方法工艺简单、易操作、节省产能，或可以提高掺杂多晶硅的电学性能。

在本发明的一个方面，本发明提供了一种制作掺杂多晶硅的方法。根据本发明的实施例，所述方法包括：在多晶硅层的上表面上形成中间层；在所述中间层的上表面上形成图案化光刻胶；从所述图案化光刻胶的上方对所述多晶硅层进行离子注入；剥离所述中间层。由此，上述制作掺杂多晶硅的方法简单，易于实施和工业化生产，且制作成本低，节省产能；且由于在上述工艺中，完成对多晶硅层的离子注入之后，直接剥离中间层，此时硬化的图案化光刻胶也就随之去除，所以整个制作掺杂多晶硅的方法中无需采用灰化工艺去除图案化光刻胶，进而避免了灰化对多晶硅的伤害，制作得到的掺杂多晶硅的表面平整，没有凹陷，掺杂区中的离子分布不会发生变化，掺杂区的多晶硅不会被氧化，而且还可以解决光刻胶在多晶硅表面上有残留，不能完全去除的难题，进而可以提升该掺杂多晶硅的电学性能，从而提高使用该掺杂多晶硅的器件的使用性能。

根据本发明的实施例，所述中间层包括有机多孔层或无机多孔层。