[发明专利]掺杂多晶硅的制作方法及其应用

权利要求书

1.一种制作掺杂多晶硅的方法，其特征在于，包括：

在多晶硅层的上表面上形成中间层，形成所述中间层的材料选自聚烯烃树脂、聚酯、聚四氟乙烯、聚氨基甲酸酯和聚乳酸酯中的至少一种，所述中间层的厚度为300埃米～1000埃米；

在所述中间层的上表面上形成图案化光刻胶；

从所述图案化光刻胶的上方对所述多晶硅层进行离子注入，所述离子注入的离子束能量为5～50KeV，所述离子注入的离子束剂量为10¹¹～10¹⁷/cm²；

剥离所述中间层，且所述图案化光刻胶与所述中间层一起被去除。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中间层包括有机多孔层或无机多孔层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述图案化光刻胶包括：

在所述中间层的上表面上形成光刻胶层；

依次对所述光刻胶层进行曝光和显影。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，剥离所述中间层是通过使得剥离液与所述中间层接触进行的。

5.一种制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层是利用权利要求1-4中任一项所述的方法制备的。

6.一种薄膜晶体管，其特征在于，是利用权利要求5所述的方法制备的。

7.一种显示器件，其特征在于，包括权利要求6所述的薄膜晶体管。