[发明专利]电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法有效
| 申请号： | 201810847149.1 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN108919612B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 韩婷婷;冯志红;吕元杰;敦少博;顾国栋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王政 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法。电子束曝光方法包括：根据第一版图图形对基片进行第一电子束曝光处理；根据第二版图图形对所述基片进行第二电子束曝光处理，其中，所述第二版图图形是所述第一版图图形沿第一版图图形中的线条长度方向平移预设距离得到的。本发明经过两次曝光处理，两次曝光的效果叠加避免了束斑拼接处由于能量不足导致的断点，使得整个图形均匀曝光。并且，不需要增加曝光剂量，能够保证较小的线条尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 曝光 方法 电子束光刻 金属 线条 制备 | ||
【主权项】：
1.一种电子束曝光方法，其特征在于，包括：根据第一版图图形对基片进行第一电子束曝光处理；根据第二版图图形对所述基片进行第二电子束曝光处理，其中，所述第二版图图形是所述第一版图图形沿第一版图图形中的线条长度方向平移预设距离得到的。
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