[发明专利]电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法

权利要求书

1.一种电子束曝光方法，其特征在于，包括：

根据第一版图图形对基片进行第一电子束曝光处理；

根据第二版图图形对所述基片进行第二电子束曝光处理，其中，所述第二版图图形是所述第一版图图形沿第一版图图形中的线条长度方向平移预设距离得到的；所述预设距离为电子束的束斑直径的1/4至3/4；所述第一电子束曝光处理的曝光剂量和所述第二电子束曝光处理的曝光剂量之和正好曝透图形；所述第一版图图形和/或所述第二版图图形中至少一条线条的线条宽度与电子束的束斑直径相等。

2.如权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述预设距离为电子束的束斑直径的1/2。

3.如权利要求1至2任一项所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述第一电子束曝光处理和/或所述第二电子束曝光处理的曝光剂量为200uC/cm²至600uC/cm²，束流小于或等于2nA。

4.一种电子束光刻方法，其特征在于，包括：

在基片表面涂覆电子束光刻胶；

通过如权利要求1至3任一项所述的电子束曝光方法对涂覆电子束光刻胶后的基片进行电子束曝光处理；

对电子束曝光处理后的基片进行显影处理。

5.如权利要求4所述的电子束光刻方法，其特征在于，所述对电子束曝光处理后的基片进行显影处理，包括：

使用异丙醇与水的混合液对电子束曝光处理后的基片显影60秒至200秒；

使用去离子水对显影后的基片定影20秒至40秒。

6.如权利要求 4或5所述的电子束光刻方法，其特征在于，所述在基片表面涂覆电子束光刻胶，包括：

在基片表面旋涂电子束光刻胶，并使用160摄氏度至190摄氏度的热板烘胶2分钟至5分钟。

7.一种金属线条制备方法，其特征在于，包括：通过如权利要求4至6任一项所述的电子束光刻方法对基片进行电子束光刻处理；

还包括：

在电子束光刻处理后的基片的表面制备金属层；

去除所述电子束光刻胶。

8.如权利要求7所述的金属线条制备方法，其特征在于，所述去除所述电子束光刻胶，包括：

对制备金属层后的基片进行加热和浸泡处理后，剥离所述电子束光刻胶；

所述金属层包括镍层和所述镍层上表面的金层；所述镍层的厚度为30纳米至80纳米，所述金层的厚度为200纳米至500纳米。