[发明专利]电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法

说明书

本发明适用于半导体技术领域，提供了一种电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法。电子束曝光方法包括：根据第一版图图形对基片进行第一电子束曝光处理；根据第二版图图形对所述基片进行第二电子束曝光处理，其中，所述第二版图图形是所述第一版图图形沿第一版图图形中的线条长度方向平移预设距离得到的。本发明经过两次曝光处理，两次曝光的效果叠加避免了束斑拼接处由于能量不足导致的断点，使得整个图形均匀曝光。并且，不需要增加曝光剂量，能够保证较小的线条尺寸。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法。

背景技术

电子束曝光技术是集电子光学、精密机械、超高真空、计算机自动控制等高新技术于一体的新型技术，是推动微电子和微细加工技术进一步发展的关键技术之一。电子束曝光技术主要适用于0.5微米以下的超微细加工，可以实现数十纳米线条的曝光。

电子束曝光是由高斯圆形束对版图图形进行逐点写入，版图图形尺寸是电子束束斑直径的整数倍。在版图图形尺寸与电子束束斑直径相等时，电子束束斑拼接处通常会由于曝光能量不足出现断点，导致整个图形的曝光不均匀。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法，以解决现有技术中电子束曝光不均匀的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种电子束曝光方法，包括：

根据第一版图图形对基片进行第一电子束曝光处理；

根据第二版图图形对所述基片进行第二电子束曝光处理，其中，所述第二版图图形是所述第一版图图形沿第一版图图形中的线条长度方向平移预设距离得到的。

可选的，所述预设距离为电子束的束斑直径的1/4至3/4。

进一步的，所述预设距离为电子束的束斑直径的1/2。

可选的，所述第一版图图形和/或所述第二版图图形中至少一条线条的线条宽度与电子束的束斑直径相等。

可选的，所述第一电子束曝光处理和/或所述第二电子束曝光处理的曝光剂量为200uC/cm²至600uC/cm²，束流小于或等于2nA。

本发明实施例的第二方面提供了一种电子束光刻方法，包括：

在基片表面涂覆电子束光刻胶；

通过如本发明实施例第一方面所述的电子束曝光方法对涂覆电子束光刻胶后的基片进行电子束曝光处理；

对电子束曝光处理后的基片进行显影处理。

可选的，所述对电子束曝光处理后的基片进行显影处理，包括：

使用异丙醇与水的混合液对第二电子束曝光处理后的基片显影60秒至200秒；

使用去离子水对显影后的基片定影20秒至40秒。

可选的，所述在基片表面涂覆电子束光刻胶，包括：

在基片表面旋涂电子束光刻胶，并使用160摄氏度至190摄氏度的热板烘胶2分钟至5分钟。

本发明实施例第三方面提供了一种金属线条制备方法，包括：通过如本发明实施例第二方面所述的电子束光刻方法对基片进行电子束光刻处理；

还包括：

在电子束光刻处理后的基片的表面制备金属层；

去除所述电子束光刻胶。

可选的，所述去除所述电子束光刻胶，包括：