[发明专利]一种金属互联层中接触孔的制备方法有效
| 申请号： | 201810843862.9 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109037147B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 邹浩;丁振宇 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属互联层中接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底上形成有堆叠的金属层和介电层；步骤S2，在介电层的上表面制备形成带有刻蚀图案的光阻层；步骤S3，采用一刻蚀工艺刻蚀刻蚀图案暴露出的介电层，形成底部连接金属层的凹槽；步骤S4，去除光阻层；步骤S5，对凹槽底部的金属层暴露出的表面进行负电性处理，负电性处理用于使凹槽底部的金属层暴露出的表面带负电；步骤S6，采用一清洗液对介电层的上表面以及凹槽内进行清洗；步骤S7，采用导电材料填充凹槽，形成接触孔；能够避免衍生物在金属层的表面形成残留，从而改善了金属层表面的损伤情况，保证了接触孔的良好导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 互联层中 接触 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属互联层中接触孔的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一衬底，所述衬底上形成有堆叠的金属层和介电层；步骤S2，在所述介电层的上表面制备形成带有刻蚀图案的光阻层；步骤S3，采用一刻蚀工艺刻蚀所述刻蚀图案暴露出的所述介电层，形成底部连接所述金属层的凹槽；步骤S4，去除所述光阻层；步骤S5，对所述凹槽底部的所述金属层暴露出的表面进行负电性处理，所述负电性处理用于使所述凹槽底部的所述金属层暴露出的表面带负电；步骤S6，采用一清洗液对所述介电层的上表面以及所述凹槽内进行清洗；步骤S7，采用导电材料填充所述凹槽，形成接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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