[发明专利]一种金属互联层中接触孔的制备方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属互联层中接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底上形成有堆叠的金属层和介电层；步骤S2，在介电层的上表面制备形成带有刻蚀图案的光阻层；步骤S3，采用一刻蚀工艺刻蚀刻蚀图案暴露出的介电层，形成底部连接金属层的凹槽；步骤S4，去除光阻层；步骤S5，对凹槽底部的金属层暴露出的表面进行负电性处理，负电性处理用于使凹槽底部的金属层暴露出的表面带负电；步骤S6，采用一清洗液对介电层的上表面以及凹槽内进行清洗；步骤S7，采用导电材料填充凹槽，形成接触孔；能够避免衍生物在金属层的表面形成残留，从而改善了金属层表面的损伤情况，保证了接触孔的良好导电性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属互联层中接触孔的制备方法。

背景技术

随着集成电路技术的发展，晶圆产品的良率越来越受到业界的关注，高良率的产品能够极大地保证用户的体验。

金属互联工艺是在集成电路片上淀积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。在制备金属互联层的过程中，很容易在金属表面产生某些衍生物的残留，这些衍生物的残留与如ST250之类的清洗液进行反应后，很容易进一步产生金属离子。这些衍生物残留在金属层表面，很容易对产品的良率产生影响。

发明内容

针对上述问题，本发明提出了一种金属互联层中接触孔的制备方法，其中，包括：

步骤S1，提供一衬底，所述衬底上形成有堆叠的金属层和介电层；

步骤S2，在所述介电层的上表面制备形成带有刻蚀图案的光阻层；

步骤S3，采用一刻蚀工艺刻蚀所述刻蚀图案暴露出的所述介电层，形成底部连接所述金属层的凹槽；

步骤S4，去除所述光阻层；

步骤S5，对所述凹槽底部的所述金属层暴露出的表面进行负电性处理，所述负电性处理用于使所述凹槽底部的所述金属层暴露出的表面带负电；

步骤S6，采用一清洗液对所述介电层的上表面以及所述凹槽内进行清洗；

步骤S7，采用导电材料填充所述凹槽，形成接触孔。

上述的制备方法，其中，所述介电层为复合层，包括堆叠的氮化硅层和第一氧化层。

上述的制备方法，其中，采用氧化硅形成所述第一氧化层。

上述的制备方法，其中，所述步骤S7中，采用所述导电材料填充所述凹槽之前，形成覆盖所述凹槽的侧壁和底部以及所述介电层上表面的一保护层。

上述的制备方法，其中，所述保护层为复合层，包括依次堆叠的第一氮化钛层、铝金属层、第二氮化钛层和第二氧化层。

上述的制备方法，其中，采用氧化硅形成所述第二氧化层。

上述的制备方法，其中，所述步骤S1中，采用铜金属形成所述金属层。

上述的制备方法，其中，所述步骤S6中，采用ST250作为所述清洗液。

上述的制备方法，其中，所述ST250包括铵盐、有机酸和水。

上述的制备方法，其中，所述负电性处理为负离子注入工艺或电子照射工艺。

有益效果：本发明提出的一种金属互联层中接触孔的制备方法，能够避免衍生物在金属层的表面形成残留，从而改善了金属层表面的损伤情况，保证了接触孔的良好导电性能。

附图说明

图1为本发明一实施例中金属互联层中接触孔的制备方法的步骤流程图；

图2～4为本发明一实施例中金属互联层中接触孔的制备方法中各步骤形成的结构原理图。