[发明专利]一种金属互联层中接触孔的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810843862.9 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN109037147B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 邹浩;丁振宇 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 互联层中 接触 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种金属互联层中接触孔的制备方法,其特征在于,包括:

步骤S1,提供一衬底,所述衬底上形成有堆叠的金属层和介电层;

步骤S2,在所述介电层的上表面制备形成带有刻蚀图案的光阻层;

步骤S3,采用一刻蚀工艺刻蚀所述刻蚀图案暴露出的所述介电层,形成底部连接所述金属层的凹槽;

步骤S4,去除所述光阻层;

步骤S5,对所述凹槽底部的所述金属层暴露出的表面进行负电性处理,所述负电性处理用于使所述凹槽底部的所述金属层暴露出的表面带负电;

步骤S6,采用一清洗液对所述介电层的上表面以及所述凹槽内进行清洗;

步骤S7,采用导电材料填充所述凹槽,形成接触孔;

所述负电性处理为负离子注入工艺或电子照射工艺。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述介电层为复合层,包括堆叠的氮化硅层和第一氧化层。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,采用氧化硅形成所述第一氧化层。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S7中,采用所述导电材料填充所述凹槽之前,形成覆盖所述凹槽的侧壁和底部以及所述介电层上表面的一保护层。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述保护层为复合层,包括依次堆叠的第一氮化钛层、铝金属层、第二氮化钛层和第二氧化层。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,采用氧化硅形成所述第二氧化层。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,采用铜金属形成所述金属层。

8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S6中,采用ST250作为所述清洗液。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述ST250包括铵盐、有机酸和水。

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