[发明专利]对测定器进行校准的方法和箱体有效
| 申请号： | 201810842703.7 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109324303B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 杉田吉平;南朋秀 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及对测定器进行校准的方法和箱体。简单地对用于获取静电电容的测定器进行校准。测定器具有基底基板、多个传感器电极、高频振荡器以及运算部。多个传感器电极设置于基底基板。高频振荡器设置为，向多个传感器电极提供高频信号。运算部构成为，根据与多个传感器电极的电位相应的多个检测值，使用多个函数来分别计算表示多个传感器电极各自的静电电容的多个测定值。箱体具有箱体主体、限制部(330)、上表面(313b)以及内周面(316b)。限制部(330)限制箱体主体内收纳的测定器的平移。多个上表面(313b)和内周面(316b)以能够与多个传感器电极分别面对的方式设置在箱体主体内。 | ||
| 搜索关键词： | 测定 进行 校准 方法 箱体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
