[发明专利]对测定器进行校准的方法和箱体有效
| 申请号: | 201810842703.7 | 申请日: | 2018-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN109324303B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
| 发明(设计)人: | 杉田吉平;南朋秀 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 测定 进行 校准 方法 箱体 | ||
本公开涉及对测定器进行校准的方法和箱体。简单地对用于获取静电电容的测定器进行校准。测定器具有基底基板、多个传感器电极、高频振荡器以及运算部。多个传感器电极设置于基底基板。高频振荡器设置为,向多个传感器电极提供高频信号。运算部构成为,根据与多个传感器电极的电位相应的多个检测值,使用多个函数来分别计算表示多个传感器电极各自的静电电容的多个测定值。箱体具有箱体主体、限制部(330)、上表面(313b)以及内周面(316b)。限制部(330)限制箱体主体内收纳的测定器的平移。多个上表面(313b)和内周面(316b)以能够与多个传感器电极分别面对的方式设置在箱体主体内。
技术领域
本发明涉及一种对测定器进行校准的方法和箱体。
背景技术
在半导体器件之类的电子器件的制造期间,使用对圆盘状的被加工物进行处理的处理系统。处理系统具有用于搬送被加工物的搬送装置和用于对被加工物进行处理的处理装置。一般来说,处理装置具有腔室主体和设置在该腔室主体内的载置台。载置台构成为对载置于其上的被加工物进行支承。搬送装置构成为在载置台上搬送被加工物。
在处理装置中的被加工物的处理中,被加工物在载置台上的位置是重要的。因而,在被加工物在载置台上的位置偏离了规定位置的情况下,需要调整搬送装置。
作为调整搬送装置的技术,已知专利文献1所记载的技术。在专利文献1所记载的技术中,利用具有与被加工物同样的圆盘形状且具有用于测定静电电容的电极的测定器。在专利文献1所记载的技术中,利用搬送装置将测定器搬送到载置台上。获取依赖于电极在载置台上的位置的静电电容的测定值,基于该测定值调整搬送装置,以修正被加工物的搬送位置。
专利文献1:日本特开2017-3557号公报
发明内容
要求上述那样的获取静电电容的测定值的测定器具有高精度的测定性能。为了实现高精度的测定性能,需要对测定器进行校准。另外,要求能够简单地对测定器进行校准。
在一个方式中,提供一种使用箱体对测定器进行校准的方法。测定器具有基底基板、多个传感器电极、高频振荡器以及运算部。基底基板呈圆盘状。多个传感器电极设置于基底基板。高频振荡器设置为,向多个传感器电极提供高频信号。运算部构成为,根据与多个传感器电极中的电位相应的多个检测值,使用多个函数来分别计算表示多个传感器电极各自的静电电容的多个测定值。箱体具有箱体主体、限制部以及多个第一基准面。箱体主体构成为,将测定器收纳在箱体主体中。限制部限制箱体主体内收纳的测定器的平移。多个第一基准面以能够与多个传感器电极分别面对的方式设置在箱体主体内。该方法包括以下工序:获取作为多个检测值的多个第一检测值;以及校准多个函数中的系数。多个第一检测值是在利用限制部限制测定器的平移、多个第一基准面与多个传感器电极分别面对、并且向多个传感器电极提供着高频信号的状态下获取到的。在校准系数的工序中,校准多个函数中的系数,使得根据多个第一检测值计算出的作为多个测定值的多个第一测定值成为第一规定值。
一个方式所涉及的对测定器进行校准的方法中,在箱体主体内利用限制部来限制测定器的平移,因此能够容易地固定传感器电极与第一基准面之间的相对位置关系。在传感器电极与第一基准面之间的相对的位置关系被固定的情况下,传感器电极的测定值取原本固定的值。因此,在传感器电极与第一基准面之间的相对位置关系固定的状态下,校准函数的系数,使得传感器电极的第一测定值成为第一规定值,由此能够简单地校准测定器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





