[发明专利]对测定器进行校准的方法和箱体有效
| 申请号: | 201810842703.7 | 申请日: | 2018-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN109324303B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
| 发明(设计)人: | 杉田吉平;南朋秀 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 测定 进行 校准 方法 箱体 | ||
1.一种使用箱体对测定器进行校准的方法,其中,
所述测定器具有:
圆盘状的基底基板;
多个传感器电极,所述多个传感器电极设置于所述基底基板;
高频振荡器,其设置为向所述多个传感器电极提供高频信号;以及
运算部,其构成为,根据与所述多个传感器电极的电位相应的多个检测值,使用多个函数来分别计算表示所述多个传感器电极各自的静电电容的多个测定值,
所述箱体具有:
箱体主体,其构成为将所述测定器收纳在箱体主体中;
限制部,其设置为限制所述箱体主体内收纳的所述测定器的平移;以及
多个第一基准面,所述多个第一基准面以能够与所述多个传感器电极分别面对的方式设置在所述箱体主体内,
该方法包括以下工序:
在利用所述限制部限制所述测定器的平移、所述多个第一基准面与所述多个传感器电极分别面对、并且向所述多个传感器电极提供着所述高频信号的状态下,获取作为所述多个检测值的多个第一检测值;以及
校准所述多个函数中的系数,使得根据所述多个第一检测值计算出的作为所述多个测定值的多个第一测定值成为第一规定值。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述测定器还具有:
多个保护电极,所述多个保护电极设置为分别包围所述多个传感器电极;以及
多个可变阻抗电路,所述多个可变阻抗电路连接在所述多个传感器电极与所述高频振荡器之间;
其中,所述高频振荡器设置为,还向所述多个保护电极提供所述高频信号,
所述多个检测值分别是同所述多个传感器电极中的一个传感器电极的电位与所述多个保护电极中的包围该一个传感器电极的一个保护电极的电位之间的电位差相应的值,
该方法还包括以下工序:
在所述高频振荡器向所述多个传感器电极和所述多个保护电极提供高频信号、并且在所述箱体主体内在所述多个传感器电极的前方设置有所述多个检测值应为零的空间的状态下,调整所述多个可变阻抗电路的阻抗,使得所述多个检测值成为零。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
所述多个传感器电极沿着所述基底基板的边缘设置,
所述多个第一基准面以能够与所述多个传感器电极面对的方式在周向上排列。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
所述多个传感器电极沿着所述基底基板的底面在周向上排列,
所述多个第一基准面以能够与所述多个传感器电极面对的方式在周向上排列。
5.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
所述箱体还具有与所述多个第一基准面不同的多个第二基准面,
所述多个第二基准面设置为,该多个第二基准面与所述多个传感器电极分别面对时的所述多个传感器电极各自的静电电容同所述多个第一基准面与所述多个传感器电极分别面对时的所述多个传感器电极各自的静电电容不同,
该方法还包括以下工序:在利用所述限制部限制所述测定器的平移、所述多个第二基准面与所述多个传感器电极分别面对、并且向所述多个传感器电极提供着所述高频信号的状态下,获取作为所述多个检测值的多个第二检测值,
在校准所述多个函数中的系数的所述工序中,校准所述多个函数中的所述系数,使得所述多个第一测定值分别成为所述第一规定值,根据所述多个第二检测值计算出的作为所述多个测定值的多个第二测定值成为第二规定值。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,
所述多个传感器电极沿着所述基底基板的边缘设置,
所述多个第一基准面和所述多个第二基准面以能够与所述多个传感器电极面对的方式沿着周向交替地排列。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,
所述多个传感器电极沿着所述基底基板的底面在周向上排列,
所述多个第一基准面以能够与所述多个传感器电极面对的方式沿着周向交替地排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





