[发明专利]静电保护元件以及半导体装置在审
| 申请号: | 201810825992.X | 申请日: | 2018-07-25 |
| 公开(公告)号: | CN109300891A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
| 发明(设计)人: | 大竹久雄 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供能够更加有效地利用使用了绝缘用槽的半导体装置的功能,并且抑制因基板电位的变动而引起内部电路的误动作的、静电保护元件以及半导体装置。包括:第一导电型的基板;形成存在基板上的第二导电型的外延层;形成在外延层上的第一导电型的阱;包括形成在阱的内部的、漏极区域、与漏极区域隔开沟道区域所形成的源极区域以及在沟道区域上绝缘地形成的栅极的晶体管;形成为具有相对于漏极区域至少在与栅极的延伸方向平行的方向上分离预先决定的距离并对置的对置区域的第一导电型的阱接触区域。 | ||
| 搜索关键词: | 导电型 半导体装置 漏极区域 静电保护元件 沟道区域 外延层 基板 绝缘 阱接触区域 对置区域 方向平行 基板电位 内部电路 源极区域 误动作 有效地 晶体管 对置 隔开 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种静电保护元件,包括:第一导电型的基板;第二导电型的外延层,形成在上述基板上;第一导电型的阱,形成在上述外延层上;晶体管,包括形成在上述阱的内部的、漏极区域、与上述漏极区域隔着沟道区域而形成的源极区域、以及在沟道区域上绝缘地形成的栅极;以及第一导电型的阱接触区域,形成为具有与上述漏极区域至少在与上述栅极的延伸方向平行的方向上分离预先决定的距离而对置的对置区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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