[发明专利]静电保护元件以及半导体装置

权利要求书

1.一种静电保护元件，包括：

第一导电型的基板；

第二导电型的外延层，形成在上述基板上；

第一导电型的阱，形成在上述外延层上；

晶体管，包括形成在上述阱的内部的、漏极区域、与上述漏极区域隔着沟道区域而形成的源极区域、以及在沟道区域上绝缘地形成的栅极；以及

第一导电型的阱接触区域，形成为具有与上述漏极区域至少在与上述栅极的延伸方向平行的方向上分离预先决定的距离而对置的对置区域。

2.根据权利要求1所述的静电保护元件，其中，

上述阱接触区域包围上述晶体管而形成。

3.根据权利要求1或者权利要求2所述的静电保护元件，其中，

还包括包围上述阱接触区域而形成的元件分离槽。

4.根据权利要求3所述的静电保护元件，其中，

上述元件分离槽以从上述阱的表面到达至上述基板的深度形成。

5.根据权利要求1～权利要求4中的任意一项所述的静电保护元件，其中，

多个晶体管中间夹着栅极且配置在与上述延伸方向交叉的方向上，上述晶体管具备在与上述延伸方向交叉的方向上依次配置的上述漏极区域、上述栅极以及上述源极区域，

位于与上述延伸方向交叉的方向的一端的漏极区域与上述阱接触区域对置而形成第一对置区域。

6.根据权利要求5所述的静电保护元件，其中，

还包括与位于与上述延伸方向交叉的方向的末端的源极区域夹着栅极而配置的漏极区域，

位于与上述延伸方向交叉的方向的另一端的漏极区域与上述阱接触区域对置还形成第二对置区域。

7.一种半导体装置，包括：

具有与外部的连接端子并且进行预先决定的处理的内部电路；以及

上述栅极以及上述源极区域接地，且上述漏极区域与上述连接端子连接的权利要求1～权利要求6中的任意一项所述的静电保护元件。