[发明专利]一种晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201810825367.5 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109065452A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市南硕明泰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体管及其制作方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上形成至少一个沟槽；在所述沟槽内填充隔离材料，以形成隔离区；通过外延工艺，在所述衬底及所述隔离区上方形成第二导电类型的埋层，其中，所述隔离区上方的埋层区域的掺杂浓度高于其他埋层区域的掺杂浓度；在所述埋层上方形成第二导电类型的外延层；在所述外延层内分别形成第一导电类型的基区、第二导电类型的发射区、第二导电类型的阱区以及分别与所述基区、发射区及所述阱区电性连接的基极、发射极和集电极。上述方法形成的所述晶体管饱和压降小，器件损耗小。 | ||
| 搜索关键词： | 导电类型 埋层 隔离区 衬底 第一导电类型 发射区 外延层 晶体管 基区 阱区 掺杂 晶体管饱和 电性连接 隔离材料 器件损耗 外延工艺 发射极 集电极 压降 填充 制作 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上形成至少一个沟槽；在所述沟槽内填充隔离材料，以形成隔离区；通过外延工艺，在所述衬底及所述隔离区上方形成第二导电类型的埋层，其中，所述隔离区上方的埋层区域的掺杂浓度高于其他埋层区域的掺杂浓度；在所述埋层上方形成第二导电类型的外延层；在所述外延层内分别形成第一导电类型的基区、第二导电类型的发射区、第二导电类型的阱区以及分别与所述基区、发射区及所述阱区电性连接的基极、发射极和集电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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