[发明专利]一种晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201810825367.5 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109065452A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市南硕明泰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电类型 埋层 隔离区 衬底 第一导电类型 发射区 外延层 晶体管 基区 阱区 掺杂 晶体管饱和 电性连接 隔离材料 器件损耗 外延工艺 发射极 集电极 压降 填充 制作 | ||
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供第一导电类型的衬底；
在所述衬底上形成至少一个沟槽；
在所述沟槽内填充隔离材料，以形成隔离区；
通过外延工艺，在所述衬底及所述隔离区上方形成第二导电类型的埋层，其中，所述隔离区上方的埋层区域的掺杂浓度高于其他埋层区域的掺杂浓度；
在所述埋层上方形成第二导电类型的外延层；
在所述外延层内分别形成第一导电类型的基区、第二导电类型的发射区、第二导电类型的阱区以及分别与所述基区、发射区及所述阱区电性连接的基极、发射极和集电极。
2.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，形成所述至少一个沟槽的具体包括：
在所述衬底上形成具有至少一个刻蚀窗口的光刻胶层；
以所述光刻胶层为掩膜，在所述衬底内形成所述至少一个沟槽；
去除所述衬底表面的光刻胶层。
3.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述阱区形成于所述外延层内且贯穿所述外延层延伸至所述埋层内。
4.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述发射区形成于所述隔离区的正上方。
5.根据权利要求1所述的晶体管的制作方法，所述沟槽的深度在5000-8000A之间。
6.一种晶体管，其特征在于，包括：
第一导电类型的衬底；
形成在所述衬底表面的部分区域中的隔离区；
通过外延工艺形成在所述衬底及所述隔离区上方的埋层，其中，所述隔离区上方的埋层区域的掺杂浓度高于其他埋层区域的掺杂浓度；
形成于所述埋层上的外延层；以及
形成于外延层内的第一导电类型的基区、第二导电类型的发射区、第二导电类型的阱区以及分别与所述基区、发射区及所述阱区电性连接的基极、发射极和集电极。
7.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述隔离区的形成步骤包括：
在所述衬底上形成具有至少一个刻蚀窗口的光刻胶层；
以所述光刻胶层为掩膜，在所述衬底内形成所述至少一个沟槽；
去除所述衬底表面的光刻胶层；
在所述沟槽内填充隔离材料，以形成所述隔离区。
8.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述发射区形成于所述隔离区的正上方。
9.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述阱区所述阱区形成于所述外延层内且贯穿所述外延层并延伸至所述埋层内。
10.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述埋层的厚度为1um-3um之间。
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