[发明专利]一种晶体管及其制作方法

说明书

本发明涉及一种晶体管及其制作方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上形成至少一个沟槽；在所述沟槽内填充隔离材料，以形成隔离区；通过外延工艺，在所述衬底及所述隔离区上方形成第二导电类型的埋层，其中，所述隔离区上方的埋层区域的掺杂浓度高于其他埋层区域的掺杂浓度；在所述埋层上方形成第二导电类型的外延层；在所述外延层内分别形成第一导电类型的基区、第二导电类型的发射区、第二导电类型的阱区以及分别与所述基区、发射区及所述阱区电性连接的基极、发射极和集电极。上述方法形成的所述晶体管饱和压降小，器件损耗小。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体的说是一种晶体管及其制作方法。

背景技术

晶体晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。器件的集电极-发射极饱和压降是晶体晶体管一个非常重要的一个参数，直接影响了器件的功耗，频率响应，放大增益等，器件工作时，电子从发射极通过扩散穿过基区，经过埋层等，最后从集电极流出，这个路径的电阻直接决定了晶体管的饱和压降。

现有技术中，通常在衬底上做外延工艺，在外延的过程中，温度较高，使衬底的浓度会向上方扩散，从而影响埋层的浓度，造成器件的饱和压降增大，进而直接影响了器件的功耗，频率响应，放大增益等。

发明内容

本发明实施例提供了一种晶体管以及制作方法，该晶体管以及通过该方法形成的所述晶体管饱和压降小，器件损耗小。

第一方面，本发明实施例提供的一种晶体管，包括：第一导电类型的衬底；形成在所述衬底表面的部分区域中的隔离区；通过外延工艺形成在所述衬底及所述隔离区上方的埋层，其中，所述隔离区上方的埋层区域的掺杂浓度高于其他埋层区域的掺杂浓度；形成于所述埋层上的外延层；以及形成于外延层内的第一导电类型的基区、第二导电类型的发射区、第二导电类型的阱区以及分别与所述基区、发射区及所述阱区电性连接的基极、发射极和集电极。

第二方面，本发明提供一种晶体管的制作方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上形成至少一个沟槽；在所述沟槽内填充隔离材料，以形成隔离区；通过外延工艺，在所述衬底及所述隔离区上方形成第二导电类型的埋层，其中，所述隔离区上方的埋层区域的掺杂浓度高于其他埋层区域的掺杂浓度；在所述埋层上方形成第二导电类型的外延层；在所述外延层内分别形成第一导电类型的基区、第二导电类型的发射区、第二导电类型的阱区以及分别与所述基区、发射区及所述阱区电性连接的基极、发射极和集电极。

可以理解，通过在所述衬底表面引入所述隔离区，同时将所述埋层通过外延工艺形成，可以显著降低在形成所述外延层时外衬底浓度对所述埋层以及所述外延层的影响，从而避免了电子或空穴传导路径的电阻的增加，从而避免了所述晶体管的饱和压降的增加。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明实施例提出的制作晶体管的方法的流程示意图；

图2是本发明实施例提出的晶体管的剖面结构示意图；

图3至图8是本发明实施例提出的制作晶体管的方法的剖面结构示意图；

附图标记说明：1、衬底；2、沟槽；3、隔离区；4、埋层；5、外延层；6、阱区；7、发射极；8、基极；9、集电极。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和有益技术效果更加清晰明白，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。