[发明专利]一种功率器件保护芯片及其制作方法

摘要

本发明提供了一种功率器件保护芯片及其制作方法，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一外延层；第一导电类型的第一埋层和第二导电类型的第二埋层，形成于所述第一外延层内；第一导电类型的第二外延层；第一导电类型的第一注入区和第二导电类型的第二注入区，形成于所述第二外延层上表面，且所述第一注入区与所述第二注入区相连接；多晶硅层，贯穿所述第二外延层并分别与所述第一注入区和所述第一埋层连接；介质层，形成于所述第二外延层的上表面；第一电极，包括贯穿所述介质层并延伸至所述第二注入区的第一部分和形成于所述介质层表面的第二部分；第二电极，形成于所述衬底的下表面。本发明可提高器件性能降低器件成本。

主权项

1.一种功率器件保护芯片，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一外延层，生长于所述衬底上表面；第一导电类型的第一埋层和第二导电类型的第二埋层，形成于所述第一外延层内，且所述第一埋层和第二埋层的至少部分表面裸露于所述第一外延层上表面，所述第二埋层的掺杂浓度高于所述第一外延层的掺杂浓度；第一导电类型的第二外延层，形成于所述第一外延层上表面，并且所述第一埋层的掺杂浓度高于所述第二外延层的掺杂浓度；第一导电类型的第一注入区和第二导电类型的第二注入区，形成于所述第二外延层上表面，且所述第一注入区与所述第二注入区相连接，所述第一注入区的掺杂浓度高于所述第二外延层的掺杂浓度；多晶硅层，贯穿所述第二外延层并分别与所述第一注入区和所述第一埋层连接；介质层，形成于所述第二外延层的上表面；第一电极，包括贯穿所述介质层并延伸至所述第二注入区的第一部分和形成于所述介质层表面的第二部分；第二电极，形成于所述衬底的下表面并与所述衬底连接。