[发明专利]一种功率器件保护芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种功率器件保护芯片，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底；

第二导电类型的第一外延层，生长于所述衬底上表面；

第一导电类型的第一埋层和第二导电类型的第二埋层，形成于所述第一外延层内，且所述第一埋层和第二埋层的至少部分表面裸露于所述第一外延层上表面，所述第二埋层的掺杂浓度高于所述第一外延层的掺杂浓度；

第一导电类型的第二外延层，形成于所述第一外延层上表面，并且所述第一埋层的掺杂浓度高于所述第二外延层的掺杂浓度；

第一导电类型的第一注入区和第二导电类型的第二注入区，形成于所述第二外延层上表面，且所述第一注入区与所述第二注入区相连接，所述第一注入区的掺杂浓度高于所述第二外延层的掺杂浓度；

多晶硅层，贯穿所述第二外延层并分别与所述第一注入区和所述第一埋层连接；

介质层，形成于所述第二外延层的上表面；

第一电极，包括贯穿所述介质层并延伸至所述第二注入区的第一部分和形成于所述介质层表面的第二部分；

第二电极，形成于所述衬底的下表面并与所述衬底连接；

其中，所述第一埋层包括分别设置于所述第二埋层两侧的第一子埋层和第二子埋层，所述第一注入区包括分别设置于所述第二注入区两侧的第一子注入区和第二子注入区，所述多晶硅层包括与所述第一子埋层和所述第一子注入区连接的第一多晶硅层，以及与所述第二子埋层和所述第二子注入区连接的第二多晶硅层，所述第二埋层与所述第二注入区相对设置。

2.根据权利要求1所述的功率器件保护芯片，其特征在于，所述第一注入区的掺杂浓度高于所述第一埋层的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的功率器件保护芯片，其特征在于，所述第二埋层的掺杂浓度高于所述第二注入区的掺杂浓度。

4.一种功率器件保护芯片的制作方法，其包括：

在第一导电类型的衬底上表面生长第二导电类型的第一外延层；

在所述第一外延层内形成第一导电类型的第一埋层和第二导电类型的第二埋层，且所述第一埋层和第二埋层的至少部分表面裸露于所述第一外延层上表面，所述第二埋层的掺杂浓度高于所述第一外延层的掺杂浓度；

在所述第一外延层上表面形成第一导电类型的第二外延层，并且所述第一埋层的掺杂浓度高于所述第二外延层的掺杂浓度；

形成贯穿所述第二外延层并延伸至所述第一埋层的第一沟槽，以及形成位于所述第一沟槽上侧并与所述第一沟槽联通的第二沟槽；

在所述第二外延层上表面形成第一导电类型的第一注入区和第二导电类型的第二注入区，且将所述第一注入区连接所述第一注入区，所述第一注入区的掺杂浓度高于所述第二外延层的掺杂浓度；

在所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成所述第一埋层连接的多晶硅层，并将所述多晶硅层与所述第一注入区相连接；

在所述第二外延层的上表面形成介质层；

形成第一电极，所述第一电极包括贯穿所述介质层并延伸至所述第二注入区的第一部分和形成于所述介质层表面的第二部分；

在所述衬底的下表面形成与所述衬底连接的第二电极；

其中，所述第一埋层包括分别设置于所述第二埋层两侧的第一子埋层和第二子埋层，所述第一注入区包括分别设置于所述第二注入区两侧的第一子注入区和第二子注入区，所述多晶硅层包括与所述第一子埋层和所述第一子注入区连接的第一多晶硅层，以及与所述第二子埋层和所述第二子注入区连接的第二多晶硅层，将所述第二埋层与所述第二注入区相对设置。

5.根据权利要求4所述的一种功率器件保护芯片的制作方法，其特征在于，所述第一注入区的掺杂浓度高于所述第一埋层的掺杂浓度。

6.根据权利要求4所述的一种功率器件保护芯片的制作方法，其特征在于，所述第二埋层的掺杂浓度高于所述第二注入区的掺杂浓度。