[发明专利]氮化物半导体发光元件、紫外线发光组件有效
| 申请号： | 201810813350.8 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN109309151B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 佐藤恒辅 | 申请（专利权）人： | 旭化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明在不使制造工序增加的情况下以低成本提供一种在电阻不会过度地增大的前提下抑制了电流集中的氮化物半导体发光元件。构成氮化物半导体发光元件的台面部的平面形状是包含由曲线或多条直线形成的凸状顶端部(352b)和与凸状顶端部(352b)相连续的基部(352a)的形状，在由多条直线形成的凸状顶端部的情况下，由相邻的两条直线形成钝角。第一电极层(4)具有俯视时相对于台面部的外形线(302)隔开间隙(9)地沿着台面部的外形线(302)延伸的外形线(411、412)。位于凸状顶端部(352b)的间隙W1和位于基部(352a)的间隙W2的关系是W1＞W2。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 紫外线 组件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光元件，其中，该氮化物半导体发光元件包括：基板；氮化物半导体层叠体，其包含形成在所述基板上的第一导电型的第一氮化物半导体层、形成在所述第一氮化物半导体层上的氮化物半导体发光层、以及形成在所述氮化物半导体发光层上的第二导电型的第二氮化物半导体层，所述氮化物半导体发光层和所述第二氮化物半导体层形成于所述第一氮化物半导体层上的局部并构成台面部；第一电极层，其形成在所述第一氮化物半导体层的除所述局部以外的部分上；以及第二电极层，其形成在所述第二氮化物半导体层上，所述台面部的平面形状是包含由曲线或多条直线形成的凸状顶端部和与所述凸状顶端部相连续的基部的形状，在由所述多条直线形成的凸状顶端部的情况下，由相邻的两条直线形成钝角，所述第一电极层具有俯视时相对于所述台面部的外形线隔开间隙地沿着所述台面部的外形线延伸的外形线，位于所述凸状顶端部的间隙W1和位于所述基部的间隙W2的关系是W1＞W2。
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