[发明专利]氮化物半导体发光元件、紫外线发光组件

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其中，

该氮化物半导体发光元件包括：

基板；

氮化物半导体层叠体，其包含形成在所述基板上的第一导电型的第一氮化物半导体层、形成在所述第一氮化物半导体层上的氮化物半导体发光层、以及形成在所述氮化物半导体发光层上的第二导电型的第二氮化物半导体层，所述氮化物半导体发光层和所述第二氮化物半导体层形成于所述第一氮化物半导体层上的局部并构成台面部；

第一电极层，其形成在所述第一氮化物半导体层的除所述局部以外的部分上；以及

第二电极层，其形成在所述第二氮化物半导体层上，

所述台面部的平面形状是包含由曲线或多条直线形成的凸状顶端部和与所述凸状顶端部相连续的基部的形状，在由所述多条直线形成的凸状顶端部的情况下，由相邻的两条直线形成钝角，

所述第一电极层具有俯视时相对于所述台面部的外形线隔开间隙地沿着所述台面部的外形线延伸的外形线，

位于所述凸状顶端部的间隙W1和位于所述基部的间隙W2的关系是W1＞W2。

2.一种氮化物半导体发光元件，其中，

该氮化物半导体发光元件包括：

基板；

氮化物半导体层叠体，其包含形成在所述基板上的第一导电型的第一氮化物半导体层、形成在所述第一氮化物半导体层上的氮化物半导体发光层、以及形成在所述氮化物半导体发光层上的第二导电型的第二氮化物半导体层，所述氮化物半导体发光层和所述第二氮化物半导体层形成于所述第一氮化物半导体层上的局部并构成台面部；

第一电极层，其形成在所述第一氮化物半导体层的除所述局部以外的部分上；以及

第二电极层，其形成在所述第二氮化物半导体层上，

所述第一电极层的平面形状是包含由曲线或多条直线形成的凸状顶端部和与所述凸状顶端部相连续的基部的形状，在由所述多条直线形成的凸状顶端部的情况下，由相邻的两条直线形成钝角，

所述台面部具有俯视时相对于所述第一电极层的外形线隔开间隙地沿着所述第一电极层的外形线延伸的外形线，

位于所述凸状顶端部的间隙W3和位于所述基部的间隙W4的关系是W3＞W4。

3.一种氮化物半导体发光元件，其中，

该氮化物半导体发光元件包括：

基板；

氮化物半导体层叠体，其包含形成在所述基板上的第一导电型的第一氮化物半导体层、形成在所述第一氮化物半导体层上的氮化物半导体发光层、以及形成在所述氮化物半导体发光层上的第二导电型的第二氮化物半导体层，所述氮化物半导体发光层和所述第二氮化物半导体层形成于所述第一氮化物半导体层上的局部并构成台面部；

第一电极层，其形成在所述第一氮化物半导体层的除所述局部以外的部分上；以及

第二电极层，其形成在所述第二氮化物半导体层上，

所述台面部的平面形状是包含由曲线或多条直线形成的凸状顶端部和与所述凸状顶端部相连续的基部的形状，在由所述多条直线形成的凸状顶端部的情况下，由相邻的两条直线形成钝角，

对于所述台面部的与所述第一电极层相对的侧面和相对于所述基板的形成有所述第一氮化物半导体层的面平行的面所成的角度θ，所述角度在所述凸状顶端部处的大小小于所述角度在所述基部处的大小，其中，角度θ≤90°。

4.根据权利要求1或3所述的氮化物半导体发光元件，其中，

该氮化物半导体发光元件具有绝缘层，该绝缘层将所述台面部以及所述第二电极层与所述第一电极层绝缘，

对于所述绝缘层中的形成于所述台面部的与所述第一电极层相对的侧面的侧面绝缘层的厚度，该侧面绝缘层在所述凸状顶端部处的厚度大于该侧面绝缘层在所述基部处的厚度。