[发明专利]氮化物半导体发光元件、紫外线发光组件

说明书

本发明在不使制造工序增加的情况下以低成本提供一种在电阻不会过度地增大的前提下抑制了电流集中的氮化物半导体发光元件。构成氮化物半导体发光元件的台面部的平面形状是包含由曲线或多条直线形成的凸状顶端部(352b)和与凸状顶端部(352b)相连续的基部(352a)的形状，在由多条直线形成的凸状顶端部的情况下，由相邻的两条直线形成钝角。第一电极层(4)具有俯视时相对于台面部的外形线(302)隔开间隙(9)地沿着台面部的外形线(302)延伸的外形线(411、412)。位于凸状顶端部(352b)的间隙W1和位于基部(352a)的间隙W2的关系是W1＞W2。

技术领域

本发明涉及一种氮化物半导体发光元件。

背景技术

氮化物半导体发光元件包括例如基板、形成在基板上的n型氮化物半导体层、在n型氮化物半导体层上的局部形成的台面部(氮化物半导体层叠体的包含n型氮化物半导体层、氮化物半导体发光层、以及p型氮化物半导体层的部分)、在n型氮化物半导体层上的除上述局部以外的部分形成的n型电极、以及形成在p型氮化物半导体层上的p型电极。

在氮化物半导体发光元件中，要求使在p型电极与n型电极之间流动的电流均匀化。其理由在于，若电流局部地集中，则会招致元件的破坏而使可靠性降低。

在专利文献1中，提出一种能够在不使发光面积减少的情况下抑制了电流集中的氮化物半导体发光元件。具体而言，使p型电极的平面形状为能覆盖p型半导体层的大致整个面的形状，并将电阻比p型半导体层或p型电极的电阻高的高电阻层设于p型半导体层上的俯视时靠近n型电极的一侧。另外，高电阻层具有俯视时相对于n型电极的靠p型半导体层侧的外形线隔开间隙地沿着n型电极的靠p型半导体层侧的外形线延伸的外形线。

在专利文献2中，提出如下一种方案：通过使在俯视观察氮化物半导体发光元件时的台面端的局部与p型电极的外周之间的距离为预定值以上而在台面构造的端部附近设置p电极限制区域(是p型电极的形成比例低于台面部的其他区域中的p型电极的形成比例的区域)，从而抑制电流集中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014－96460号公报

专利文献2：国际公开2016/143574号公报

发明内容

发明要解决的问题

在专利文献1所记载的氮化物半导体发光元件中存在以下问题点：为了形成高电阻层，制造工序增加，且制造成本变高。

在专利文献2所记载的氮化物半导体发光元件中，存在以下课题：由于使接触电阻较高的p型电极的面积相对较窄，因此电阻过度地增大。

本发明的课题在于，在不使制造工序增加的情况下以低成本提供一种在电阻不会过度地增大的前提下抑制了电流集中的氮化物半导体发光元件。

用于解决问题的方案

为了实现上述课题，本发明的第一技术方案的氮化物半导体发光元件具有下述结构要素(a)和(b)。

(a)该氮化物半导体发光元件包含基板、氮化物半导体层叠体、第一电极层、以及第二电极层。氮化物半导体层叠体包含形成在基板上的第一导电型的第一氮化物半导体层、形成在第一氮化物半导体层上的氮化物半导体发光层、以及形成在氮化物半导体发光层上的第二导电型的第二氮化物半导体层。氮化物半导体发光层和第二氮化物半导体层形成于第一氮化物半导体层上的局部并构成台面部。第一电极层形成在第一氮化物半导体层的除上述局部以外的部分上。第二电极层形成在台面部的第二氮化物半导体层上。